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参数资料
| 型号： | MMBTA93L99Z |
| 厂商： | NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 30K |
| 代理商： | MMBTA93L99Z |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBTA93 | 500 mA, 200 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
| MMBTA94G-AE3-R | 300 mA, 400 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBTH10-13 | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBTH10L-B-AL3-R | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBTH10G-C-AN3-R | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBTA93LT1 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 500mA 200V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBTA93LT1G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 500mA 200V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBTA94 | 制造商:Diotec Semiconductor 功能描述: |
| MMBTD55T1 | 制造商:Motorola 功能描述:55 MOT T/R |
| MMBTF04GWBCA-QME00 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:MEMORY, SDCARD, CLASS 4, 4GB, Data Rate:4Mbps, Memory Size:4GB, Memory Type:SD C |
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