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参数资料
型号： MMBTH10-TP
厂商： MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
元件分类： 小信号晶体管
英文描述： UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封装： PLASTIC PACKAGE-3
文件页数： 1/2页
文件大小： 174K
代理商： MMBTH10-TP
MMBTH10
NPN VHF/UHF
Transistors
Features
Maximum Ratings
Symbol
Rating
Unit
VCEO
Collector-Emitter Voltage
25
V
VCBO
Collector-Base Voltage
30
V
VEBO
Emitter-Base Voltage
3.0
V
IC
Collector Current-Continuous
(1)
50
mA
PC
Power dissipation
(2)
225
mW
TJ
Junction Temperature
-55 to +150
OC
TSTG
Storage Temperature
-55 to +150
OC
Electrical Characteristics @ 25
OC Unless Otherwise Specified
Symbol
Parameter
Min
Max
Units
OFF CHARACTERISTICS
V(BR)CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage
(IC=1.0mAdc, IB=0)
25
---
Vdc
V(BR)CBO
Collector-Base Breakdown Voltage
(IC=100uAdc, IE=0)
30
---
Vdc
V(BR)EBO
Collector-Emitter Breakdown Voltage
(IE=10uAdc, IC=0)
3.0
---
Vdc
ICBO
Collector-Base Cutoff Current
(VCB=25Vdc,IE=0)
---
100
nAdc
IEBO
Emitter-Base Cutoff Current
(VEB=2.0Vdc, IC=0)
---
100
nAdc
ON CHARACTERISTICS
hFE
DC Current Gain
(IC=4.0mAdc, VCE=10Vdc)
60
---
VCE(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
(IC=4.0mAdc, IB=400uAdc)
---
0.5
Vdc
VBE(sat)
Base-Emitter Saturation Voltage
(IC=4.0mAdc,VCE=10Vdc)
---
0.95
Vdc
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS
fT
Current-Gain-Bandwidth Product
(VCE=10V, f=100MHz, IC=4.0mA )
650
---
MHz
CCB
Collector-Base Capacitance
(VCB=10V, f=1.0MHz, IE=0)
---
0.7
pF
CRB
Collector-Base Feedback Capacitance
(VCB=10V, f=1.0MHz, IE=0)
---
0.65
pF
Note: 1. Valid provided that terminals are kept at ambient temperature.
2. Pulse test: Pulse width<300us, duty cycle<2%
INCHES
MM
DIM
MIN
MAX
MIN
MAX
NOTE
A
.110
.120
2.80
3.04
B
.083
.098
2.10
2.64
C
.047
.055
1.20
1.40
D
.035
.041
.89
1.03
E
.070
.081
1.78
2.05
F
.018
.024
.45
.60
G
.0005
.0039
.013
.100
H
.035
.044
.89
1.12
J
.003
.007
.085
.180
K
.015
.020
.37
.51
A
B
C
D
E
F
G
H
J
.079
2.000
inches
mm
.031
.800
.035
.900
.037
.950
.037
.950
K
Revision:
A
20
11/01/01
omponents
20736 Marilla
Street Chatsworth
!"#
$% !"#
MCC
TM
Micro Commercial Components
E
B
C
www.mccsemi.com
1 of 2
Designed for VHF/UHF Amplifier applications and high output VHF
Oscillators
High current gain bandwidth product
Marking Code: 3EM
Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates
RoHS Compliant. See ordering information)
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating
Moisure Sensitivity Level 1
SOT-23
Suggested Solder
Pad Layout
DIMENSIONS
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PDF描述
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MRF534 UHF BAND, Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-18
MMDF3N04HDR2 3400 mA, 40 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
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参数描述
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MMBTH11_Q 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN RF Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MMBTH24 功能描述:射频双极小信号晶体管 NPN RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel
MMBTH24_Q 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN RF Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MMBTH24-7 功能描述:两极晶体管 - BJT 40V 300mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
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