- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录182953 > MMBTH24L99Z (FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP) VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR PDF资料下载
参数资料
| 型号： | MMBTH24L99Z |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 代理商： | MMBTH24L99Z |
Electrical Characteristics
TA = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Max
Units
OFF CHARACTERISTICS
V(BR)CEO
Collector-Emitter Sustaining Voltage*
IC = 1.0 mA, IB = 0
30
V
V(BR)CBO
Collector-Base Breakdown Voltage
IC = 100
A, IE = 0
40
V
V(BR)EBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
IE = 10
A, I
C = 0
4.0
V
ICBO
Collector Cutoff Current
VCB = 15 V, IE = 0
50
nA
ON CHARACTERISTICS
hFE
DC Current Gain
IC = 8.0 mA, VCE = 10 V
30
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS
fT
Current Gain - Bandwidth Product
IC = 8.0 mA, VCE = 10 V,
f = 100 MHz
400
MHz
Ccb
Collector-Base Capacitance
VCB = 10 V, IE = 0, f = 1.0 MHz
0.36
pF
*Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 s, Duty Cycle ≤ 2.0%
NPN RF Transistor
(continued)
MPSH24
/
MMBTH24
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBTH24LT3 | VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBTH24LT1 | VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| MMBTRC116SS | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
| MMBTRC117SS | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
| MMBTRC120SS | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBTH34 | 功能描述:射频双极小信号晶体管 NPN RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel |
| MMBTH34_Q | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN RF Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBTH81 | 功能描述:射频双极小信号晶体管 PNP RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel |
| MMBTH81 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:RF Bipolar Transistor |
| MMBTH81_D87Z | 功能描述:射频双极小信号晶体管 PNP RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。