参数资料
| 型号： | MMBZ15VDLT3G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | DIODE ZENER DUAL 40W 15V SOT-23 |
| 产品变化通告： | Wire Change 08/Jun/2009 |
| 标准包装： | 10,000 |
| 电压 - 反向隔离（标准值）： | 12.8V |
| 电压 - 击穿： | 14.3V |
| 功率（瓦特）： | 40W |
| 电极标记： | 2 通道阵列 - 单向 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3（TO-236） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MMBZ15VDLT1G, MMBZ27VCLT1G, SZMMBZ15VDLT1G, SZMMBZ27VCLT1G
TYPICAL CHARACTERISTICS
17
MMBZ15VDLT1G, SZMMBZ15VDLT1G
29
MMBZ27VCLT1G, SZMMBZ27VCLT1G
BIDIRECTIONAL
BIDIRECTIONAL
16
15
14
13
UNIDIRECTIONAL
28
27
26
25
- 40
+ 25
+ 85
+ 125
- 55
+ 25
+ 85
+ 125
1000
TEMPERATURE ( ° C)
Figure 1. Typical Breakdown Voltage
versus Temperature
300
TEMPERATURE ( ° C)
Figure 2. Typical Breakdown Voltage
versus Temperature
100
250
ALUMINA SUBSTRATE
200
10
150
1
100
FR-5 BOARD
0.1
50
0.01
- 40
+ 25
+ 85
+ 125
0
0
25
50
75 100 125
150
175
TEMPERATURE ( ° C)
Figure 3. Typical Leakage Current
versus Temperature
PULSE WIDTH (t P ) IS DEFINED
100
TEMPERATURE ( ° C)
Figure 4. Steady State Power Derating Curve
100
t r ≤ 10 m s
PEAK VALUE — I PP
AS THAT POINT WHERE THE
PEAK CURRENT DECAYS TO
50% OF I PP .
90
80
70
60
50
HALF VALUE —
I PP
2
50
40
30
t P
20
10
0
0
1
2
3
4
0
0
25
50 75 100 125 150
175
200
t, TIME (ms)
Figure 5. Pulse Waveform
http://onsemi.com
3
T A , AMBIENT TEMPERATURE ( ° C)
Figure 6. Pulse Derating Curve
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 961129-5500-AR-PR | CONN HEADER R/A 29POS GOLD SMD |
| MMBZ27VALT3G | DIODE ZENER DUAL 40W 27V SOT-23 |
| 3432-5602UG | CONN HEADER 40POS R/A LONG LATCH |
| 3429-1502UG | 26/HDR/3W/R/A/SNAPINSL/.112/15AV |
| 77315-107-36LF | BERGSTIK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBZ18VA | 制造商:WEITRON 制造商全称:Weitron Technology 功能描述:SMALL SIGNAL ZENER DIODES 300m WATTS 3-26 VOLTS |
| MMBZ18VAL | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE DUAL TVS 40W 14.5V SOT23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, DUAL TVS, 40W, 14.5V, SOT23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, DUAL TVS, 40W, 14.5V, SOT23; Reverse Stand-Off Voltage Vrwm:14.5V; Breakdown Voltage Min:17.1V; Breakdown Voltage Max:18.9V; Clamping Voltage Vc Max:25V; Peak Pulse Current Ippm:1.6A; Diode Case Style:SOT-23; No. of Pins:3 ;RoHS Compliant: Yes |
| MMBZ18VAL,215 | 功能描述:ESD 抑制器 Diode TVS Dual/Singl 14.5V 40W 3-Pin RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道:8 Channels 击穿电压:8 V 电容:45 pF 端接类型:SMD/SMT 封装 / 箱体:uQFN-16 功率耗散 Pd: 工作温度范围:- 40 C to + 85 C |
| MMBZ18VAL/DG | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:Double ESD protection diodes for transient overvoltage suppression |
| MMBZ18VAL215 | 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述: |
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