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参数资料
型号： MMBZ33VAL/DG
厂商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分类： TVS二极管 - 瞬态电压抑制
英文描述： TVS DIODE, TO-236AB
封装： HALOGEN FREE, PLASTIC, SMD, 3 PIN
文件页数： 5/15页
文件大小： 78K
代理商： MMBZ33VAL/DG
MMBZXVAL_SER_1
NXP B.V. 2008. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 01 — 1 September 2008
13 of 15
NXP Semiconductors
MMBZxVAL series
Double ESD protection diodes for transient overvoltage suppression
13. Revision history
Table 12.
Revision history
Document ID
Release date
Data sheet status
Change notice
Supersedes
MMBZXVAL_SER_1
20080901
Product data sheet
-
相关PDF资料
PDF描述
MMBZ12VAL/DG TVS DIODE, TO-236AB
MMBZ5221BW 2.4 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
MMBZ5225BW 3 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
MMBZ5228BW 3.9 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
MMBZ5234BW 6.2 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
相关代理商/技术参数
参数描述
MMBZ33VALT1 功能描述:TVS二极管阵列 33V 225mW Dual RoHS:否 制造商:Littelfuse 极性: 通道:4 Channels 击穿电压: 钳位电压:11.5 V 工作电压:2.5 V 峰值浪涌电流:20 A 安装风格:SMD/SMT 端接类型:SMD/SMT 系列: 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C
MMBZ33VALT1G 功能描述:TVS二极管阵列 33V 225mW Dual Common Anode RoHS:否 制造商:Littelfuse 极性: 通道:4 Channels 击穿电压: 钳位电压:11.5 V 工作电压:2.5 V 峰值浪涌电流:20 A 安装风格:SMD/SMT 端接类型:SMD/SMT 系列: 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C
MMBZ33VALT1G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:TVS Diode
MMBZ33VALT3 功能描述:TVS二极管阵列 33V 225mW Dual RoHS:否 制造商:Littelfuse 极性: 通道:4 Channels 击穿电压: 钳位电压:11.5 V 工作电压:2.5 V 峰值浪涌电流:20 A 安装风格:SMD/SMT 端接类型:SMD/SMT 系列: 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C
MMBZ33VALT3G 功能描述:TVS二极管阵列 33V 225mW Dual Common Anode RoHS:否 制造商:Littelfuse 极性: 通道:4 Channels 击穿电压: 钳位电压:11.5 V 工作电压:2.5 V 峰值浪涌电流:20 A 安装风格:SMD/SMT 端接类型:SMD/SMT 系列: 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C
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