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参数资料
| 型号： | MMBZ33VAL/DG |
| 厂商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
| 英文描述： | TVS DIODE, TO-236AB |
| 封装： | HALOGEN FREE, PLASTIC, SMD, 3 PIN |
| 文件页数： | 8/15页 |
| 文件大小： | 78K |
| 代理商： | MMBZ33VAL/DG |
MMBZXVAL_SER_1
NXP B.V. 2008. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 01 — 1 September 2008
2 of 15
NXP Semiconductors
MMBZxVAL series
Double ESD protection diodes for transient overvoltage suppression
1.4 Quick reference data
2.
Pinning information
Table 2.
Quick reference data
Tamb =25 °C unless otherwise specied.
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Per diode
VRWM
reverse standoff voltage
MMBZ12VAL
MMBZ12VAL/DG
-
8.5
V
MMBZ15VAL
MMBZ15VAL/DG
--12
V
MMBZ18VAL
MMBZ18VAL/DG
-
14.5
V
MMBZ20VAL
MMBZ20VAL/DG
--17
V
MMBZ27VAL
MMBZ27VAL/DG
--22
V
MMBZ33VAL
MMBZ33VAL/DG
--26
V
Cd
diode capacitance
f = 1 MHz; VR =0V
MMBZ12VAL
MMBZ12VAL/DG
-
110
140
pF
MMBZ15VAL
MMBZ15VAL/DG
-
85
105
pF
MMBZ18VAL
MMBZ18VAL/DG
-
7090pF
MMBZ20VAL
MMBZ20VAL/DG
-
6580pF
MMBZ27VAL
MMBZ27VAL/DG
-
4860pF
MMBZ33VAL
MMBZ33VAL/DG
-
4555pF
Table 3.
Pinning
Pin
Description
Simplied outline
Graphic symbol
1
cathode (diode 1)
2
cathode (diode 2)
3
common anode
12
3
006aaa154
12
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBZ12VAL/DG | TVS DIODE, TO-236AB |
| MMBZ5221BW | 2.4 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MMBZ5225BW | 3 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MMBZ5228BW | 3.9 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MMBZ5234BW | 6.2 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBZ33VALT1 | 功能描述:TVS二极管阵列 33V 225mW Dual RoHS:否 制造商:Littelfuse 极性: 通道:4 Channels 击穿电压: 钳位电压:11.5 V 工作电压:2.5 V 峰值浪涌电流:20 A 安装风格:SMD/SMT 端接类型:SMD/SMT 系列: 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C |
| MMBZ33VALT1G | 功能描述:TVS二极管阵列 33V 225mW Dual Common Anode RoHS:否 制造商:Littelfuse 极性: 通道:4 Channels 击穿电压: 钳位电压:11.5 V 工作电压:2.5 V 峰值浪涌电流:20 A 安装风格:SMD/SMT 端接类型:SMD/SMT 系列: 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C |
| MMBZ33VALT1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:TVS Diode |
| MMBZ33VALT3 | 功能描述:TVS二极管阵列 33V 225mW Dual RoHS:否 制造商:Littelfuse 极性: 通道:4 Channels 击穿电压: 钳位电压:11.5 V 工作电压:2.5 V 峰值浪涌电流:20 A 安装风格:SMD/SMT 端接类型:SMD/SMT 系列: 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C |
| MMBZ33VALT3G | 功能描述:TVS二极管阵列 33V 225mW Dual Common Anode RoHS:否 制造商:Littelfuse 极性: 通道:4 Channels 击穿电压: 钳位电压:11.5 V 工作电压:2.5 V 峰值浪涌电流:20 A 安装风格:SMD/SMT 端接类型:SMD/SMT 系列: 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C |
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