参数资料
型号: MMBZ4711/E9
厂商: GENERAL SEMICONDUCTOR INC
元件分类: 齐纳二极管
英文描述: 27 V, 0.35 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
文件页数: 1/2页
文件大小: 74K
代理商: MMBZ4711/E9
相关PDF资料
PDF描述
MMBD1704AS62Z 0.05 A, 30 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE
MBR20045CT 100 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
MAZ4047N0L 4.52 V, 0.4 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
MAZ4200N0M 19.95 V, 0.4 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
MAZ72400A 23.575 V, 0.8 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
相关代理商/技术参数
参数描述
MMBZ4711-HE3-08 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:ZENER DIODE SOT23
MMBZ4711-HE3-18 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:ZENER DIODE SOT23
MMBZ4711-V 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Small Signal Zener Diodes
MMBZ4711-V-GS08 功能描述:稳压二极管 27 Volt 0.35W 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel
MMBZ4711-V-GS18 功能描述:稳压二极管 27 Volt 0.35 Watt 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel