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参数资料
| 型号： | MMBZ5223BS |
| 厂商： | LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 齐纳二极管 |
| 英文描述： | 2.7 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 封装： | PLASTIC, SOT-363, 6 PIN |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 33K |
| 代理商： | MMBZ5223BS |
NEW
PRODUCT
DS31039 Rev. 4P-1
1 of 3
MMBZ5221BS - MMBZ5259BS
MMBZ5221BS - MMBZ5259BS
200mW SURFACE MOUNT ZENER DIODE
Planar Die Construction
Dual Isolated Zeners in Ultra-Small Surface
Mount Package
General Purpose
Ideally Suited for Automated Assembly
Processes
Features
Maximum Ratings
@ TA = 25°C unless otherwise specified
Characteristic
Symbol
Value
Unit
Zener Current
Pd/VZ
Forward Voltage
@ IF = 10mA
VF
0.9
V
Power Dissipation (Note 1)
Pd
200
mW
Thermal Resistance, Junction to Ambient Air (Note 1)
RθJA
625
K/W
Operating and Storage Temperature Range
Tj, TSTG
-65 to +150
°C
Notes:
1. Valid provided that device terminals are kept at ambient temperature.
2. Tested with pulses, Tp
≤ 1.0ms.
Case: SOT-363, Molded Plastic
Terminals: Solderable per MIL-STD-202,
Method 208
Polarity: See Diagram
Marking: Marking Code (See Table on Page 2)
Weight: 0.006 grams (approx.)
Mechanical Data
A
M
J
L
F
D
B C
H
K
KXX
A
2
C
1
NC
C
2
A
1
SOT-363
Dim
Min
Max
A
0.10
0.30
B
1.15
1.35
C
2.00
2.20
D
0.65 Nominal
F
0.30
0.40
H
1.80
2.20
J
0.10
K
0.90
1.00
L
0.25
0.40
M
0.10
0.25
All Dimensions in mm
POWER SEMICONDUCTOR
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MA1033 | 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
| MA1039-H | 4 V, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
| MA1100-H | 10.3 V, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
| MA2100-B | 10.2 V, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-41 |
| MA2110-A | 10.73 V, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-41 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBZ5223BS-7 | 功能描述:稳压二极管 200MW 2.7V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMBZ5223BS-7-F | 功能描述:稳压二极管 200MW 2.7V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMBZ5223BT | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:150mW SURFACE MOUNT ZENER DIODE |
| MMBZ5223BT-7 | 功能描述:稳压二极管 150MW 2.7V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMBZ5223BT-7-F | 功能描述:稳压二极管 150MW 2.7V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
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