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参数资料
| 型号： | MMBZ5223BS |
| 厂商： | LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 齐纳二极管 |
| 英文描述： | 2.7 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 封装： | PLASTIC, SOT-363, 6 PIN |
| 文件页数： | 3/3页 |
| 文件大小： | 33K |
| 代理商： | MMBZ5223BS |
NEW
PRODUCT
DS31039 Rev. 4P-1
3 of 3
MMBZ5221BS - MMBZ5259BS
0
0.1
0.2
0.3
0.4
25
0
50
75
100
125
150
P
,
POWER
DISSIP
A
TION
(W)
D
T , AMBIENT TEMPERATURE ( C)
Fig. 1 Power Dissipation vs Ambient Temperature
A
°
1
10
100
1000
1
10
100
C
,
JUNCTION
CAP
ACIT
ANCE
(pF)
J
V , NOMINAL ZENER VOLTAGE (V)
Fig. 2 Typical Capacitance
Z
0V BIAS
1
10
100
1000
1
10
100
DYNAMIC
ZENER
IMPEDANCE
(
)
V , NOMINAL ZENER VOLTAGE (V)
Fig. 3 Zener Voltage vs. Zener Impedence
Z
I = 1.0mA
Z
1
10
100
1
10
100
P
,
PEAK
SURGE
POWER
(W)
PK
PULSE WIDTH (ms)
Fig. 4 Maximum Non-repetitive Surge Power
1000
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MA1033 | 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
| MA1039-H | 4 V, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
| MA1100-H | 10.3 V, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
| MA2100-B | 10.2 V, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-41 |
| MA2110-A | 10.73 V, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-41 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBZ5223BS-7 | 功能描述:稳压二极管 200MW 2.7V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMBZ5223BS-7-F | 功能描述:稳压二极管 200MW 2.7V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMBZ5223BT | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:150mW SURFACE MOUNT ZENER DIODE |
| MMBZ5223BT-7 | 功能描述:稳压二极管 150MW 2.7V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMBZ5223BT-7-F | 功能描述:稳压二极管 150MW 2.7V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
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