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参数资料
型号： MMBZ5230B
元件分类： 齐纳二极管
英文描述： 4.7 V, 0.35 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, TO-236AB
封装： TO-236AB, 3 PIN
文件页数： 1/1页
文件大小： 67K
代理商： MMBZ5230B
SURFACE MOUNT ZENERS
350mW
Zener Voltage
Dynamic Impedance
Test
Dynamic Impedance
Test
Temperature
Reverse Current
Test
Part#
@'ZT
Current
@I
Z K
Current
Coefficient @ IJT
@V
R
Voltage
VzOO
ZZR ( )
IZR(NIA)
ZZK
(O)
L
ZK
(MA)
XV2(WK )
!{MA)
R00
MMBZ5250B
18.8
- 21.2
55
5.0
225
1.0
+0.090
0.05
0.7
MMBZ5251B
20.8
- 23.3
55
5.0
225
1.0
+0.090
0.05
0.7
MMBZ5252B
22.8
- 25.6
70
5.0
250
1.0
+0.090
0.05
0.7
MMBZ5254B
25.1
- 28.9
80
2.0
300
0.5
+0.090
0.05
0.7
MMBZ5256B
28
- 32
80
2.0
300
0.5
+0.090
0.05
0.7
MMBZ5257B
31
- 35
80
2.0
325
0.5
+0.090
0.05
0.7
MMBZ5258B
34
- 38
90
2.0
350
0.5
+0.090
0.05
0.7
MMBZ5259B
37
- 41
130
2.0
350
0.5
+0.110
0.05
0.7
MMBZ5260B
40
- 46
150
2.0
375
0.5
+0.110
0.05
0.7
MMBZ5261B
44
- 50
170
2.0
375
0.5
+0.110
0.05
0.7
MMBZ5262B
48
- 54
180
2.0
400
0.5
+0.110
0.05
0.7
MMBZ5223B
2.5
- 2.9
100
5.0
600
1.0
-0.065
20.00
1.0
MMBZ5225B
2.8
- 3.2
100
5.0
600
1.0
-0.060
10.00
1.0
MMBZ5226B
3.1
- 3.5
95
5.0
600
1.0
-0.055
5.00
1.0
MMBZ5227B
3.4
- 3.8
95
5.0
600
1.0
-0.055
5.00
1.0
MMBZ5228B
3.7
- 4.1
90
5.0
600
1.0
-0.050
3.00
1.0
MMBZ5229B
4.0
- 4.6
90
5.0
600
1.0
-0.035
3.00
1.0
MMBZ5230B
4.4
- 5.0
80
5.0
500
1.0
-0.015
3.00
2.0
Nominal Zener
Dynamic Impedance
Test
Dynamic Impedance
Test
Reverse Current
Test
Part*
Voltage @
@IZ T
Current
@I
Z K
Current
@V
R
Voltage
v
z
W
Z
N
(SJ )
|
CT
(MA)
ZZK<"
< )
L(MA)
v
B
W
BZX84C3V3
3.3
28.0
20.0
1600
0.25
25.0
1.0
BZX84C3V6
3.6
24.0
20.0
1700
0.25
15.0
1.0
BZX84C3V9
3.9
23.0
20.0
1900
0.25
10.0
1.0
BZX84C4V3
4.3
22.0
20.0
2000
0.25
5.0
1.0
BZX84C4V7
4.7
19.0
20.0
1900
0.25
5.0
2.0
BZX84C5V1
5.1
17.0
20.0
1600
0.25
5.0
2.0
BZX84C5V6
5.6
11.0
20.0
1600
0.25
5.0
3.0
-
6.0
7.0
20.0
1600
0.25
5.0
3.5
BZX84C6V2
6.2
7.0
20.0
1000
0.25
5.0
4.0
BZX84C6V8
6.8
5.0
20.0
750
0.25
3.0
5.0
BZX84C7V5
7.5
6.0
20.0
500
0.25
3.0
6.0
BZX84C8V2
8.2
8.0
20.0
500
0.25
3.0
6.5
-
8.7
8.0
20.0
600
0.25
3.0
6.5
BZX84C9V1
9.1
10.0
20.0
600
0.25
3.0
7.0
BZX84C10
10.0
17.0
20.0
600
0.25
3.0
8.0
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11.0
22.0
20.0
600
0.25
2.0
8.4
BZX84C12
12.0
30.0
20.0
600
0.25
1.0
9.1
BZX84C13
13.0
9.5
600
0.25
0.5
9.9
-
14.0
15.0
9.0
600
0.25
0.1
10.0
BZX84C15
15.0
16.0
8.5
600
0.25
0.1
11.0
BZX84C16
16.0
17.0
7.8
600
0.25
0.1
12.0
-
17.0
19.0
7.4
600
0.25
0.1
13.0
BZX84C18
18.0
21.0
7.0
600
0.25
0.1
14.0
-
19.0
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6.6
600
0.25
0.1
14.0
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600
0.25
0.1
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BZX84C22
22.0
29.0
5.6
600
0.25
0.1
17.0
BZX84C24
24.0
33.0
5.2
600
0.25
0.1
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-
25.0
35.0
5.0
600
0.25
0.1
19.0
BZX84C27
27.0
41.0
4.6
600
0.25
0.1
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-
28.0
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4.5
600
0.25
0.1
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30.0
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4.2
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33.0
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3.8
700
0.25
0.1
25.0
6
IPN= 0737135 0000094 580
SOT-23 (L)
TO-236AB
,95 Typical
i n .60
t
3.04
1.02
1.04
.61-
相关PDF资料
PDF描述
MMBZ5259BTS-7-F 39 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
MMC9-65608EV-45 128K X 8 STANDARD SRAM, 45 ns, CDIP32
MMDL6050T1 0.2 A, SILICON, SIGNAL DIODE
MMDL914 0.2 A, SILICON, SIGNAL DIODE
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参数描述
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MMBZ5230B_Q 功能描述:稳压二极管 4.7V 0.35W Zener RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel
MMBZ5230B_S00Z 功能描述:稳压二极管 4.7V 0.35W Zener RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel
MMBZ5230B-7 功能描述:稳压二极管 4.7V 350mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel
MMBZ5230B-7-F 功能描述:稳压二极管 4.7V 350mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel
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