型号: | MMBZ5232B-GT1 |
厂商: | SENSITRON SEMICONDUCTOR |
元件分类: | 齐纳二极管 |
英文描述: | 5.6 V, 0.35 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
封装: | PLASTIC PACKAGE-3 |
文件页数: | 2/4页 |
文件大小: | 94K |
代理商: | MMBZ5232B-GT1 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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MMBZ5234B-GT1 | 6.2 V, 0.35 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
MMBZ5250B-GT1 | 20 V, 0.35 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
MMBZ5259B-GT1 | 39 V, 0.35 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
MMBZ5245B-GT1 | 15 V, 0.35 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
MMBZ5228B-GT1 | 3.9 V, 0.35 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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MMBZ5232B-HE3-08 | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:ZENER DIODE SOT23 |
MMBZ5232B-HE3-18 | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:ZENER DIODE SOT23 |
MMBZ5232BL | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Zener Voltage Regulators |
MMBZ5232BLT1 | 功能描述:稳压二极管 5.6V 225mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
MMBZ5232BLT1G | 功能描述:稳压二极管 5.6V 225mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |