- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录30879 > MMBZ5250B-GT1 (SENSITRON SEMICONDUCTOR) 20 V, 0.35 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE PDF资料下载
参数资料
| 型号： | MMBZ5250B-GT1 |
| 厂商： | SENSITRON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 齐纳二极管 |
| 英文描述： | 20 V, 0.35 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 封装： | PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 94K |
| 代理商： | MMBZ5250B-GT1 |
MMBZ5221B - MMBZ5259B
350mW SURFACE MOUNT ZENER DIODE
Planar Die Construction
350mW Power Dissipation on FR-4 PCB
General Purpose, Medium Current
Ideally Suited for Automated Assembly
Processes
Features
Maximum Ratings
@ TA = 25
°C unless otherwise specified
Characteristic
Symbol
Value
Unit
Forward Voltage
@ IF = 10mA
VF
0.9
V
Power Dissipation (Note 1)
Pd
350
mW
Thermal Resistance, Junction to Ambient Air (Note 1)
RqJA
357
K/W
Operating and Storage Temperature Range
Tj, TSTG
-65 to +150
°C
Notes:
1. Valid provided that device terminals are kept at ambient temperature.
2. Tested with pulses, Tp
1.0ms.
Case: SOT-23, Molded Plastic
Terminals: Solderable per MIL-STD-202,
Method 208
Polarity: See Diagram
Marking: Marking Code (See Table on Page 2)
Weight: 0.008 grams (approx.)
Mechanical Data
A
E
J
L
TOP VIEW
M
B C
H
G
D
K
SOT-23
Dim
Min
Max
A
0.37
0.51
B
1.19
1.40
C
2.10
2.50
D
0.89
1.05
E
0.45
0.61
G
1.78
2.05
H
2.65
3.05
J
0.013
0.15
K
0.89
1.10
L
0.45
0.61
M
0.076
0.178
All Dimensions in mm
SENSITRON
SEMICONDUCTOR
221 West Industry Court ! Deer Park, NY 11729-4681 ! (631) 586-7600 FAX (631) 242-9798
World Wide Web Site - http://www.sensitron.com E-Mail Address - sales@sensitron.com
Data Sheet 2675, Rev. -
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBZ5259B-GT1 | 39 V, 0.35 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MMBZ5245B-GT1 | 15 V, 0.35 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MMBZ5228B-GT1 | 3.9 V, 0.35 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MMBZ5230B-GT1 | 4.7 V, 0.35 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MMBZ5228ELT3G | 3.9 V, 0.225 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, TO-236AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBZ5250B-HE3-08 | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:ZENER DIODE SOT23 |
| MMBZ5250B-HE3-18 | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:ZENER DIODE SOT23 |
| MMBZ5250BLT1 | 功能描述:稳压二极管 20V 225mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMBZ5250BLT1G | 功能描述:稳压二极管 20V 225mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMBZ5250BLT3 | 功能描述:稳压二极管 20V 225mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。