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参数资料
| 型号： | MMBZ5250B-GT1 |
| 厂商： | SENSITRON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 齐纳二极管 |
| 英文描述： | 20 V, 0.35 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 封装： | PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 94K |
| 代理商： | MMBZ5250B-GT1 |
Type
Number
Type
Code
Zener Voltage Range (Note 2)
Maximum Zener
Impedance
Maximum Reverse
Leakage Current
VZ @IZT
IZT
ZZT @ IZT
ZZK @IZK
= 0.25mA
IR
@VR
Nom (V)
Min (V)
Max (V)
mA
WmA
V
MMBZ5221B
KC1
2.4
2.28
2.52
20
30
1200
100
1.0
MMBZ5223B
KC3
2.7
2.57
2.84
20
30
1300
75
1.0
MMBZ5225B
KC5
3.0
2.85
3.15
20
30
1600
50
1.0
MMBZ5226B
KG1/8A
3.3
3.14
3.47
20
28
1600
25
1.0
MMBZ5227B
KG2/8B
3.6
3.42
3.78
20
24
1700
15
1.0
MMBZ5228B
KG3/8C
3.9
3.71
4.10
20
23
1900
10
1.0
MMBZ5229B
KG4/8D
4.3
4.09
4.52
20
22
2000
5.0
1.0
MMBZ5230B
KG5/8E
4.7
4.4 7
4.94
20
19
1900
5.0
2.0
MMBZ5231B
KE1/8F
5.1
4.85
5.36
20
17
1600
5.0
2.0
MMBZ5232B
KE2/8G
5.6
5.32
5.88
20
11
1600
5.0
3.0
MMBZ5233B
KE3
6.0
5.70
6.30
20
7
1600
5.0
3.5
MMBZ5234B
KE4/8J
6.2
5.89
6.51
20
7
1000
5.0
4.0
MMBZ5235B
KE5/8K
6.8
6.46
7.14
20
5
750
3.0
5.0
MMBZ5236B
KF1/8L
7.5
7.13
7.88
20
6
500
3.0
6.0
MMBZ5237B
KF2/8M
8.2
7.79
8.61
20
8
500
3.0
6.5
MMBZ5238B
KF3
8.7
8.27
9.14
20
8
600
3.0
6.5
MMBZ5239B
KF4/8P
9.1
8.65
9.56
20
10
600
3.0
7.0
MMBZ5240B
KF5/8Q
10
9.50
10.50
20
17
600
3.0
8.0
MMBZ5241B
KH1/8R
11
10.45
11.55
20
22
600
2.0
8.4
MMBZ5242B
KH2/8S
12
11.40
12.60
20
30
600
1.0
9.1
MMBZ5243B
KH3/8T
13
12.35
13.65
9.5
13
600
0.5
9.9
MMBZ5245B
KH5/8V
15
14.25
15.75
8.5
16
600
0.1
11
MMBZ5246B
KJ1/8W
16
15.20
16.80
7.8
17
600
0.1
12
MMBZ5248B
KJ3/8Y
18
17.10
18.90
7.0
21
600
0.1
14
MMBZ5250B
KJ5/81A
20
19.00
21.00
6.2
25
600
0.1
15
MMBZ5251B
KK1/81B
22
20.90
23.10
5.6
29
600
0.1
17
MMBZ5252B
KK2/81C
24
22.80
25.20
5.2
33
600
0.1
18
MMBZ5254B
KK4/81E
27
25.65
28.35
5.0
41
600
0.1
21
MMBZ5255B
KK5
28
26.60
29.40
4.5
44
600
0.1
21
MMBZ5256B
KM1/81G
30
28.50
31.50
4.2
49
600
0.1
23
MMBZ5257B
KM2/81H
33
31.35
34.65
3.8
58
700
0.1
25
MMBZ5258B
KM3
36
34.20
37.80
3.4
70
700
0.1
27
MMBZ5259B
KM4
39
37.05
40.95
3.2
80
800
0.1
30
Electrical Characteristics @ TA = 25°C unless otherwise specified
Notes:
1. Valid provided that device terminals are kept at ambient temperature.
2. Tested with pulses, Tp
1.0ms.
SENSITRON
SEMICONDUCTOR
221 West Industry Court ! Deer Park, NY 11729-4681 ! (631) 586-7600 FAX (631) 242-9798
World Wide Web Site - http://www.sensitron.com E-Mail Address - sales@sensitron.com
Data Sheet 2675, Rev. -
MMBZ5221B - MMBZ5259B
350mW SURFACE MOUNT ZENER DIODE
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBZ5259B-GT1 | 39 V, 0.35 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MMBZ5245B-GT1 | 15 V, 0.35 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MMBZ5228B-GT1 | 3.9 V, 0.35 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MMBZ5230B-GT1 | 4.7 V, 0.35 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MMBZ5228ELT3G | 3.9 V, 0.225 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, TO-236AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBZ5250B-HE3-08 | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:ZENER DIODE SOT23 |
| MMBZ5250B-HE3-18 | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:ZENER DIODE SOT23 |
| MMBZ5250BLT1 | 功能描述:稳压二极管 20V 225mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMBZ5250BLT1G | 功能描述:稳压二极管 20V 225mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMBZ5250BLT3 | 功能描述:稳压二极管 20V 225mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
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