型号: | MMBZ5237B |
厂商: | LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP |
元件分类: | 参考电压二极管 |
英文描述: | 8.2 V, 0.3 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
封装: | GREEN, ULTRA SMALL, PLASTIC PACKAGE-3 |
文件页数: | 1/4页 |
文件大小: | 236K |
代理商: | MMBZ5237B |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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MA4E2062M-1068 | SILICON, MEDIUM BARRIER SCHOTTKY, X BAND, MIXER DIODE |
MA4E976M-1012 | SILICON, MEDIUM BARRIER SCHOTTKY, KU BAND, MIXER DIODE |
MA4E2515L | SILICON, LOW BARRIER SCHOTTKY, X BAND, MIXER DIODE |
MA4P303-94 | SILICON, PIN DIODE |
MMBZ5232C | 5.6 V, 0.3 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, TO-236AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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MMBZ5237B | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:ZENER DIODE 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:ZENER DIODE, 350mW, 8.2V, SOT-23 |
MMBZ5237B_D87Z | 功能描述:稳压二极管 8.2V 0.35W Zener RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
MMBZ5237B_Q | 功能描述:稳压二极管 8.2V 0.35W Zener RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
MMBZ5237B-7 | 功能描述:稳压二极管 8.2V 350mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
MMBZ5237B-7-F | 功能描述:稳压二极管 8.2V 350mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |