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参数资料
| 型号： | MMBZ5240BS62Z |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | 10 V, 0.35 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 40K |
| 代理商： | MMBZ5240BS62Z |
MMBZ5226B
-
MMBZ5257B
Series
Tolerance: B = 5%
Electrical Characteristics
TA = 25°C unless otherwise noted
CONNECTION
DIAGRAM
2 NC
3
1
Absolute Maximum Ratings*
TA = 25°C unless otherwise noted
Parameter
Value
Units
Storage Temperature Range
-55 to +150
°C
Maximum Junction Operating Temperature
+ 150
°C
Total Device Dissipation
Derate above 25
°C
350
1.8
mW
mW/
°C
*These ratings are limiting values above which the serviceability of the diode may be impaired.
NOTES:
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.
2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed
or low duty cycle operations.
Device
Mark
VZ
(V)
ZZ
(
)
IZT
(mA)
ZZK
(
)
IZK
(mA)
VR
(V)
IR
(
A)
MMBZ 5226B
MMBZ 5227B
MMBZ 5228B
MMBZ 5229B
8A
8B
8C
8D
3.3
3.6
3.9
4.3
28
24
23
22
20
1,600
1,700
1,900
1,000
0.25
1.0
25
15
10
5.0
MMBZ 5230B
MMBZ 5231B
MMBZ 5232B
MMBZ 5233B
8E
8F
8G
8H
4.7
5.1
5.6
6.0
19
17
11
7.0
20
1,900
1,600
0.25
2.0
3.0
3.5
5.0
MMBZ 5234B
MMBZ 5235B
MMBZ 5236B
MMBZ 5237B
8J
8K
8L
8M
6.2
6.8
7.5
8.2
7.0
5.0
6.0
8.0
20
1,000
750
500
0.25
4.0
5.0
6.0
6.5
5.0
3.0
MMBZ 5238B
MMBZ 5239B
MMBZ 5240B
MMBZ 5241B
MMBZ 5242B
8N
8P
8Q
8R
8S
8.7
9.1
10
11
12
8.0
10
17
22
30
20
600
0.25
6.5
7.0
8.0
8.4
9.1
3.0
2.0
1.0
VF Foward Voltage = 0.9 V Maximum @ IF = 10 mA for all MMBZ 5200 series
@
NOTE: National preferred devices in BOLD
MMBZ5226B - MMBZ5257B Series Zeners
SOT-23
3
1
2
Discrete POWER & Signal
Technologies
1997 Fairchild Semiconductor Corporation
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBZ5241BS62Z | 11 V, 0.35 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MMBZ5244BS62Z | 14 V, 0.35 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MMBZ5249BD87Z | 19 V, 0.35 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MMBZ5250BD87Z | 20 V, 0.35 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MMBZ5252BD87Z | 24 V, 0.35 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBZ5240BS-7 | 功能描述:稳压二极管 10V 200mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMBZ5240BS-7-F | 功能描述:稳压二极管 10V 200mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMBZ5240BT-7 | 功能描述:稳压二极管 150MW 10V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMBZ5240BT-7-F | 功能描述:稳压二极管 150MW 10V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMBZ5240B-TP | 制造商:Micro Commercial Components (MCC) 功能描述: |
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