参数资料
型号: MMBZ5241BTS-7
厂商: DIODES INC
元件分类: 齐纳二极管
英文描述: 11 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
封装: ULTRA SMALL, PLASTIC PACKAGE-6
文件页数: 2/3页
文件大小: 90K
代理商: MMBZ5241BTS-7
DS30184 Rev. 6 - 2
2 of 3
MMBZ5221BTS - MMBZ5259BTS
www.diodes.com
Type
Number
Marking
Code
Zener Voltage Range (Note 2)
Maximum Zener
Impedance (Note 4)
Maximum Reverse
Leakage Current (Note 2)
VZ @ IZT
IZT
ZZT @IZT
ZZK @ IZK
= 0.25mA
IR
@VR
Nom (V)
Min (V)
Max (V)
mA
WmA
V
MMBZ5221BTS
KSB
2.4
2.28
2.52
20
30
1200
100
1.0
MMBZ5223BTS
KSC
2.7
2.57
2.84
20
30
1300
75
1.0
MMBZ5225BTS
KSD
3.0
2.85
3.15
20
30
1600
50
1.0
MMBZ5226BTS
KSE
3.3
3.14
3.47
20
28
1600
25
1.0
MMBZ5227BTS
KSF
3.6
3.42
3.78
20
24
1700
15
1.0
MMBZ5228BTS
KSG
3.9
3.71
4.10
20
23
1900
10
1.0
MMBZ5229BTS
KSH
4.3
4.09
4.52
20
22
2000
5.0
1.0
MMBZ5230BTS
KS1
4.7
4.47
4.94
20
19
1900
5.0
2.0
MMBZ5231BTS
KS2
5.1
4.85
5.36
20
17
1600
5.0
2.0
MMBZ5232BTS
KS3
5.6
5.32
5.88
20
11
1600
5.0
3.0
MMBZ5233BTS
KRF
6.0
5.70
6.30
20
7
1600
5.0
3.5
MMBZ5234BTS
KS4
6.2
5.89
6.51
20
7
1000
5.0
4.0
MMBZ5235BTS
KS5
6.8
6.46
7.14
20
5
750
3.0
5.0
MMBZ5236BTS
KS6
7.5
7.13
7.88
20
6
500
3.0
6.0
MMBZ5237BTS
KS7
8.2
7.79
8.61
20
8
500
3.0
6.5
MMBZ5238BTS
KRG
8.7
8.27
9.14
20
8
600
3.0
6.5
MMBZ5239BTS
KS8
9.1
8.65
9.56
20
10
600
3.0
7.0
MMBZ5240BTS
KS9
10
9.50
10.50
20
17
600
3.0
8.0
MMBZ5241BTS
KR1
11
10.45
11.55
20
22
600
2.0
8.4
MMBZ5242BTS
KR2
12
11.40
12.60
20
30
600
1.0
9.1
MMBZ5243BTS
KR3
13
12.35
13.65
9.5
13
600
0.5
9.9
MMBZ5245BTS
KR4
15
14.25
15.75
8.5
16
600
0.1
11
MMBZ5246BTS
KR5
16
15.20
16.80
7.8
17
600
0.1
12
MMBZ5248BTS
KR6
18
17.10
18.90
7.0
21
600
0.1
14
MMBZ5250BTS
KR7
20
19.00
21.00
6.2
25
600
0.1
15
MMBZ5251BTS
KR8
22
20.90
23.10
5.6
29
600
0.1
17
MMBZ5252BTS
KR9
24
22.80
25.20
5.2
33
600
0.1
18
MMBZ5254BTS
KRA
27
25.65
28.35
5.0
41
600
0.1
21
MMBZ5255BTS
KRH
28
26.60
29.40
4.5
44
600
0.1
21
MMBZ5256BTS
KRB
30
28.50
31.50
4.2
49
600
0.1
23
MMBZ5257BTS
KRC
33
31.35
34.65
3.8
58
700
0.1
25
MMBZ5258BTS
KRD
36
34.20
37.80
3.4
70
700
0.1
27
MMBZ5259BTS
KRE
39
37.05
40.95
3.2
80
800
0.1
30
Electrical Characteristics @ TA = 25°C unless otherwise specified
Notes:
2. Short duration test pulse used to minimize self-heating effect.
4. f = 1KHz.
T
C
U
D
O
R
P
W
E
N
* Add “-7” to the appropriate type number in Electrical Characteristics Table above, example: 6.2V Zener = MMBZ5234BTS-7.
Notes:
5. For Packaging Details, go to our website at http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf.
6. For Lead Free/RoHS compliant version part number, please add "-F" suffix to part number above.
Example: MMBZ5259BTS-7-F.
Device
Packaging
Shipping
(Type Number)-7*
SOT-363
3000/Tape & Reel
(Note 5)
Ordering Information
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PDF描述
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MBR4045WT-S 20 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-247AD
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参数描述
MMBZ5241BTS-7-F 功能描述:稳压二极管 200MW 11V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel
MMBZ5241B-V-GS08 功能描述:稳压二极管 11 Volt 0.3W 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel
MMBZ5241B-V-GS18 功能描述:稳压二极管 11 Volt 0.3 Watt 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel
MMBZ5241BW-7 功能描述:稳压二极管 200MW 11V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel
MMBZ5241BW-7-F 功能描述:稳压二极管 200MW 11V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel