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参数资料
| 型号： | MMBZ5241BTS-7 |
| 厂商： | DIODES INC |
| 元件分类： | 齐纳二极管 |
| 英文描述： | 11 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 封装： | ULTRA SMALL, PLASTIC PACKAGE-6 |
| 文件页数： | 3/3页 |
| 文件大小： | 90K |
| 代理商： | MMBZ5241BTS-7 |
DS30184 Rev. 6 - 2
3 of 3
MMBZ5221BTS - MMBZ5259BTS
www.diodes.com
0
0.1
0.2
0.3
0.4
25
0
50
75
100
125
150
P,
P
O
WER
D
ISSIP
A
T
IO
N(
W
)
D
T , AMBIENT TEMPERATURE (
°C)
A
Fig. 1 Power Dissipation vs Ambient Temperature
1
10
100
1000
110
100
C,
T
O
T
A
L
C
AP
ACIT
ANCE
(pF)
T
V , NOMINAL ZENER VOLTAGE (V)
Z
Fig. 2 Typical Capacitance
0V BIAS
1
10
100
1000
1
10
100
V , NOMINAL ZENER VOLTAGE (V)
Z
Fig. 3 Zener Voltage vs. Zener Impedence
I = 1.0mA
Z
1
10
100
1
10
100
P
,
PEAK
SURGE
POWER
(W)
PK
PULSE WIDTH (ms)
Fig. 4 Maximum Non-repetitive Surge Power
1000
T
C
U
D
O
R
P
W
E
N
Marking Information
KXX YM
KXX = Product Type Marking Code
YM = Date Code Marking
Y = Year ex: N = 2002
M = Month ex: 9 = September
Date Code Key
Year
2002
2003
2004
2005
2006
2007
2008
2009
Code
NP
R
ST
U
V
W
Month
Jan
Feb
March
Apr
May
Jun
Jul
Aug
Sep
Oct
Nov
Dec
Code
12
3
4
5
6
7
89
O
N
D
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBRB30H60CT/31 | 15 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB |
| MPT-12B | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-13 |
| MBR4045WT-S | 20 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-247AD |
| MQ1N5333A | 3.3 V, 5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MSP1N5339A | 5.6 V, 5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBZ5241BTS-7-F | 功能描述:稳压二极管 200MW 11V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMBZ5241B-V-GS08 | 功能描述:稳压二极管 11 Volt 0.3W 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMBZ5241B-V-GS18 | 功能描述:稳压二极管 11 Volt 0.3 Watt 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMBZ5241BW-7 | 功能描述:稳压二极管 200MW 11V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMBZ5241BW-7-F | 功能描述:稳压二极管 200MW 11V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
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