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参数资料
| 型号： | MMBZ5243B-TP |
| 厂商： | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS |
| 元件分类： | 齐纳二极管 |
| 英文描述： | 13 V, 0.35 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 封装： | PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 222K |
| 代理商： | MMBZ5243B-TP |
MMBZ5221B thru MMBZ5259B
MCC
ZENER VOLTAGE V.S. ZENER CURRENT
TYPICAL LEAKGE CURRENT
90
1000
100
10
1
0.1
0.01
0.001
0.0001
0.00001
80
70
60
50
40
30
20
10
0
LEAKAGE
CURRENT
(A
)
m
NOMINAL ZENER VOLTAGE, Vlots
+150 C
O
+25 C
O
-55 C
O
12
100
10
1
0.1
0.01
10
8
6
4
2
0
ZENER
CURRENT
,m
A
ZENER VOLTAGE, Volts
T =25 C
A
o
100
10
1
0.1
0.01
10
30
50
70
90
T =25 C
A
o
ZENER VOLTAGE, Volts
ZENER VOLTAGE V.S. ZENER CURRENT
ZENER
CURRENT
,m
A
Revision: A
2011/01/01
TM
Micro Commercial Components
www.mccsemi.com
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBR1545CT-BP | 15 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| MBR2060FCT-BP | 20 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| MUR1015FCT-BP | 10 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| MMBD1403-TP | 0.2 A, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE |
| MUR1630CT-BP | 16 A, 300 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBZ5243BTS-7 | 功能描述:稳压二极管 200MW 13V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMBZ5243BTS-7-F | 功能描述:稳压二极管 200MW 13V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMBZ5243B-V-GS08 | 功能描述:稳压二极管 13 Volt 0.3W 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMBZ5243B-V-GS18 | 功能描述:稳压二极管 13 Volt 0.3 Watt 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMBZ5243BW-7 | 功能描述:稳压二极管 200MW 13V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
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