型号: | MMBZ5248B-V-G-18 |
厂商: | VISHAY SEMICONDUCTORS |
元件分类: | 齐纳二极管 |
英文描述: | 18 V, 0.225 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
封装: | GREEN PACKAGE-3 |
文件页数: | 5/5页 |
文件大小: | 78K |
代理商: | MMBZ5248B-V-G-18 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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MMBZ5256C-V-G-18 | 30 V, 0.225 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
MMBZ5257C-V-G-8 | 33 V, 0.225 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
MMTZJ12A-AP | 11.42 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
MMTZJ2.0B-TP | 2.11 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
MMTZJ22C-AP | 21.62 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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MMBZ5248B-V-GS08 | 功能描述:稳压二极管 18 Volt 0.3W 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
MMBZ5248B-V-GS18 | 功能描述:稳压二极管 18 Volt 0.3 Watt 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
MMBZ5248BW-13-F | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:200MW SURFACE MOUNT ZENER DIODE - Tape and Reel |
MMBZ5248BW-7 | 功能描述:稳压二极管 200MW 18V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
MMBZ5248BW-7-F | 功能描述:稳压二极管 200MW 18V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |