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参数资料
| 型号： | MMBZ5252BTS-7 |
| 厂商： | DIODES INC |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | 24 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 封装： | ULTRA SMALL, PLASTIC PACKAGE-6 |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 90K |
| 代理商： | MMBZ5252BTS-7 |
DS30184 Rev. 6 - 2
1 of 3
MMBZ5221BTS - MMBZ5259BTS
www.diodes.com
Diodes Incorporated
MMBZ5221BTS - MMBZ5259BTS
TRIPLE SURFACE MOUNT ZENER DIODE ARRAY
Three Isolated Zeners in Ultra-Small Surface Mount
Package
Ideally Suited for Automated Assembly Processes
Available in Lead Free/RoHS Compliant Version
(Note 3)
Features
Maximum Ratings
@ TA = 25°C unless otherwise specified
Characteristic
Symbol
Value
Unit
Forward Voltage (Note 2)
@ IF = 10mA
VF
0.9
V
Power Dissipation (Note 1)
Pd
200
mW
Thermal Resistance, Junction to Ambient Air (Note 1)
RqJA
625
°C/W
Operating and Storage Temperature Range
Tj, TSTG
-65 to +150
°C
Notes:
1. Mounted on FR4 PC Board with recommended pad layout which can be found on our website at
2. Short duration test pulse used to minimize self-heating effect.
3. No purposefully added lead.
Case: SOT-363
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability
Classification Rating 94V-0
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020C
Terminals: Solderable per MIL-STD-202, Method 208
Also Available in Lead Free Plating (Matte Tin Finish
annealed over Alloy 42 leadframe). Please see Ordering
Information, Note 6, on Page 2
Orientation: See Diagram
Marking: Marking Code (See Table on Page 2)
Weight: 0.006 grams (approx.)
Mechanical Data
A
M
J
L
D
B C
H
K
G
F
KXX YM
C
3
C
1
C
2
A
2
A
3
A
1
T
C
U
D
O
R
P
W
E
N
SOT-363
Dim
Min
Max
A
0.10
0.30
B
1.15
1.35
C
2.00
2.20
D
0.65 Nominal
F
0.30
0.40
H
1.80
2.20
J
0.10
K
0.90
1.00
L
0.25
0.40
M
0.10
0.25
a
0
°
8°
All Dimensions in mm
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBR30H35PT | 30 A, 35 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-247AD |
| MBR7H60/45 | 7.5 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC |
| MBRB10H45 | 10 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB |
| MBRB25H50CT/31 | 15 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB |
| MBRF20H35CT | 10 A, 35 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBZ5252BTS-7-F | 功能描述:稳压二极管 200MW 24V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMBZ5252B-V-GS08 | 功能描述:稳压二极管 24 Volt 0.3W 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMBZ5252B-V-GS18 | 功能描述:稳压二极管 24 Volt 0.3 Watt 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMBZ5252BW-7 | 功能描述:稳压二极管 24V 200mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMBZ5252BW-7-F | 功能描述:稳压二极管 24V 200mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
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