| 型号: | MMBZ5267/E9 |
| 厂商: | GENERAL SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类: | 参考电压二极管 |
| 英文描述: | 75 V, 0.3 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, TO-236AB |
| 文件页数: | 1/3页 |
| 文件大小: | 125K |
| 代理商: | MMBZ5267/E9 |

相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBRFB760 | 7.5 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB |
| MV1860A-5% | 2.2 pF, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
| MV104RLRA | 39.5 pF, 32 V, SILICON, ABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE, TO-92 |
| MG052S18A400TP | BIDIRECTIONAL, 2 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE |
| MMSZ5254CW | 27 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBZ5268BLT1 | 功能描述:稳压二极管 82V 225mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMBZ5268BLT1G | 功能描述:稳压二极管 82V 225mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMBZ5270BLT1 | 功能描述:稳压二极管 91V 225mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMBZ5270BLT1G | 功能描述:稳压二极管 91V 225mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMBZ5V6AL | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE DUAL TVS UN 40W 3V SOT23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, DUAL TVS, UN, 40W, 3V, SOT23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, DUAL TVS, UN, 40W, 3V, SOT23; Reverse Stand-Off Voltage Vrwm:3V; Breakdown Voltage Min:5.32V; Breakdown Voltage Max:5.88V; Clamping Voltage Vc Max:8V; Peak Pulse Current Ippm:3A; Diode Case Style:SOT-23; No. of Pins:3 ;RoHS Compliant: Yes |