参数资料
| 型号： | MMBZ5V6ALT3 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | TVS ZENER DUAL 24W CA 5.6V SOT23 |
| 产品变化通告： | Discontinuation 30/Jun/2006 |
| 标准包装： | 10,000 |
| 电压 - 反向隔离（标准值）： | 3V |
| 电压 - 击穿： | 5.32V |
| 功率（瓦特）： | 24W |
| 电极标记： | 2 通道阵列 - 单向 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3（TO-236） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MMBZxxxALT1G Series, SZMMBZxxxALT1G Series
TYPICAL CHARACTERISTICS
18
15
12
1000
100
10
9
1
6
3
0.1
0
? 40
0
+ 50
+ 100
+ 150
0.01
? 40
+ 25
+ 85
+ 125
320
280
240
TEMPERATURE ( ? C)
Figure 1. Typical Breakdown Voltage
versus Temperature
(Upper curve for each voltage is bidirectional mode,
lower curve is unidirectional mode)
60
50
TEMPERATURE ( ? C)
Figure 2. Typical Leakage Current
versus Temperature
200
160
120
80
40
5.6 V
15 V
40
30
20
10
33 V
27 V
0
0
1
2
3
0
0
1
2
3
BIAS (V)
Figure 3. Typical Capacitance versus Bias Voltage
(Upper curve for each voltage is unidirectional mode,
lower curve is bidirectional mode)
300
BIAS (V)
Figure 4. Typical Capacitance versus Bias Voltage
(Upper curve for each voltage is unidirectional mode,
lower curve is bidirectional mode)
250
200
150
100
50
ALUMINA SUBSTRATE
FR ? 5 BOARD
0
0
25
50
75 100 125
150
175
TEMPERATURE ( ? C)
Figure 5. Steady State Power Derating Curve
http://onsemi.com
4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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| MMBZ6V2AL,215 | 功能描述:ESD 抑制器 1Ch 8.7V 2.76A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道:8 Channels 击穿电压:8 V 电容:45 pF 端接类型:SMD/SMT 封装 / 箱体:uQFN-16 功率耗散 Pd: 工作温度范围:- 40 C to + 85 C |
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