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参数资料
| 型号： | MMBZ6V8AL-13 |
| 厂商： | DIODES INC |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | 24 W, UNIDIRECTIONAL, 2 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE |
| 封装： | PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 76K |
| 代理商： | MMBZ6V8AL-13 |
DS30306 Rev. 6 - 2
4 of 4
MMBZ5V6AL - MMBZ33VAL
www.diodes.com
0.1
1.0
PULSE WIDTH (ms)
Fig. 7 Pulse Rating Curve,
P
(W) vs. Pulse Width (ms)
pk (NOM)
Power is defined as P
= V
x I
pk(NOM)
Z(NOM)
pp
where V
is the nominal Zener voltage
Z(NOM)
measured at the low test current used
for voltage classification
0.1
10
100
1.0
10
1000
10000
T= 25
°C
j
P
,
PEAK
PULSE
P
OWER
(W)
pk
(NOM)
100
Non Repetitive
Pulse Waveform
(Rectangular)
Unidirectional
Bidirectional
T
C
U
D
O
R
P
W
E
N
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| MMSZ5225BS-13 | 3 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MMSZ5228B-13 | 3.9 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MMSZ5233BS-13 | 6 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| MMBZ6V8ALT1 | 功能描述:TVS二极管阵列 6.8V 225mW Dual RoHS:否 制造商:Littelfuse 极性: 通道:4 Channels 击穿电压: 钳位电压:11.5 V 工作电压:2.5 V 峰值浪涌电流:20 A 安装风格:SMD/SMT 端接类型:SMD/SMT 系列: 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C |
| MMBZ6V8ALT1G | 功能描述:TVS二极管阵列 6.8V 225mW Dual Common Anode RoHS:否 制造商:Littelfuse 极性: 通道:4 Channels 击穿电压: 钳位电压:11.5 V 工作电压:2.5 V 峰值浪涌电流:20 A 安装风格:SMD/SMT 端接类型:SMD/SMT 系列: 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C |
| MMBZ6V8ALT1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:TVS Diode 制造商:ON Semiconductor 功能描述:TVS DIODE ARRAY, 40W, 6.8V, SOT-23 |
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