| 型号: | MMDF2C02HDR2 |
| 厂商: | MOTOROLA INC |
| 元件分类: | JFETs |
| 英文描述: | 3.8 A, 20 V, 0.09 ohm, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装: | SO-8 |
| 文件页数: | 3/12页 |
| 文件大小: | 356K |
| 代理商: | MMDF2C02HDR2 |

相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMDF2C03HDR2 | 2 A, 30 V, 0.09 ohm, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| MMDF2P01HDR2 | 3.4 A, 12 V, 0.18 ohm, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| MMDF3N06HDR2 | 3300 mA, 60 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| MMDF4207R2 | 4.8 A, 20 V, 0.033 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| MMDF4207R2 | 4.8 A, 20 V, 0.033 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMDF2C03HD | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:COMPLEMENTARY DUAL TMOS POWER FET 2.0 AMPERES 30 VOLTS |
| MMDF2C03HDR2 | 功能描述:MOSFET 30V 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| MMDF2C03HDR2G | 功能描述:MOSFET COMP S08C 30V 4.1A 70mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| MMDF2C03HDR2G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:MOSFET |
| MMDF2N02E | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 2 Amps, 25 Volts N−Channel SO−8, Dual |