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参数资料
| 型号： | MMDF2C05ER2 |
| 厂商： | MOTOROLA INC |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 2 A, 50 V, 0.3 ohm, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | CASE 751B-05, SO-16 |
| 文件页数： | 2/10页 |
| 文件大小： | 409K |
| 代理商： | MMDF2C05ER2 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMDF2C05ER1 | 2 A, 50 V, 0.3 ohm, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| MMDF2N02ER2 | 3.6 A, 25 V, 0.1 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| MMDF2N06V1 | 3300 mA, 60 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| MMDF2N06V2 | 3300 mA, 60 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| MMDF2P02ER2 | 2 A, 20 V, 0.4 ohm, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMDF2N02E | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 2 Amps, 25 Volts N−Channel SO−8, Dual |
| MMDF2N02ER2 | 功能描述:MOSFET 25V 2A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| MMDF2N02ER2G | 功能描述:MOSFET NFET SO8D 25V 3.6A 100mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| MMDF2N05ZR2 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:Motorola Inc 功能描述: 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |
| MMDF2N06V | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:DUAL TMOS MOSFET 3.3 AMPERES 60 VOLTS |
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