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参数资料
| 型号： | MMDFS2P102R2 |
| 厂商： | MOTOROLA INC |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 3.3 A, 20 V, 0.18 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | CASE 751-05, SO-8 |
| 文件页数： | 1/12页 |
| 文件大小： | 389K |
| 代理商： | MMDFS2P102R2 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMDFS3P303R2 | 3500 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| MMDFS6N303R2 | 6 A, 30 V, 0.035 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| MMDFS6N303 | 6 A, 30 V, 0.035 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| MMFT3055VT3G | 1700 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-261AA |
| MMFT3055VT3 | 1700 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-261AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMDFS3P303 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 3 Amps, 30 Volts |
| MMDFS3P303-D | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 3 Amps, 30 Volts |
| MMDFS3P303R2 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| MMDFS6N303R2 | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:FETKY™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| MMDJ3N03BJT | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Plastic Power Transistors SO−8 for Surface Mount Applications |
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