- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录98025 > MMDFS6N303 (MOTOROLA INC) 6 A, 30 V, 0.035 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET PDF资料下载
参数资料
| 型号： | MMDFS6N303 |
| 厂商： | MOTOROLA INC |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 6 A, 30 V, 0.035 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | SO-8 |
| 文件页数： | 12/12页 |
| 文件大小： | 251K |
| 代理商： | MMDFS6N303 |
MMDFS6N303
9
Motorola TMOS Product Preview Data
TYPICAL APPLICATIONS
LOAD
Vout
CO
+
–
Vin
+
–
LOAD
Vout
CO
+
–
Vin
+
–
LO
STEP DOWN SWITCHING REGULATORS
Buck Regulator
Synchronous Buck Regulator
LOAD
Vout
CO
+
–
Vin
+
–
LOAD
Vout
CO
+
–
Vin
+
–
STEP UP SWITCHING REGULATORS
Boost Regulator
Buck–Boost Regulator
L1
Q1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMFT3055VT3G | 1700 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-261AA |
| MMFT3055VT3 | 1700 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-261AA |
| MMFT6661T1 | 500 mA, 90 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-261AA |
| MMFT6661T3 | 500 mA, 90 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-261AA |
| MMFT960T3 | 300 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-261AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMDFS6N303R2 | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:FETKY™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| MMDJ3N03BJT | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Plastic Power Transistors SO−8 for Surface Mount Applications |
| MMDJ3P03BJT | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:DUAL BIPOLAR POWER TRANSISTOR PNP SILICON 30 VOLTS 3 AMPERES |
| MMDJ-65608EV-30 | 制造商:ATMEL 制造商全称:ATMEL Corporation 功能描述:Rad. Tolerant 128K x 8 Very Low Power 5V CMOS SRAM |
| MMDJ-65608EV-30-E | 制造商:ATMEL 制造商全称:ATMEL Corporation 功能描述:Rad. Tolerant 128K x 8 Very Low Power 5V CMOS SRAM |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。