型号: | MMDT3904T/R13 |
元件分类: | 小信号晶体管 |
英文描述: | 200 mA, 40 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
封装: | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-6 |
文件页数: | 2/4页 |
文件大小: | 157K |
代理商: | MMDT3904T/R13 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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MMDT3904TB6 | 200 mA, 40 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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MMDT3904V | 200 mA, 40 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
MMDT3904 | 200 mA, 40 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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MMDT3904V | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:DUAL NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
MMDT3904V_11 | 制造商:MCC 制造商全称:Micro Commercial Components 功能描述:NPN Plastic-Encapsulate Transistors |
MMDT3904V-7 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 60V 200mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
MMDT3904V-7-F | 功能描述:两极晶体管 - BJT 60V 200mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
MMDT3904VC | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:DUAL NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR |