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参数资料
| 型号： | MMDT3946-TP |
| 厂商： | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 200 mA, 40 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | ULTRA SMALL, PLASTIC PACKAGE-6 |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 334K |
| 代理商： | MMDT3946-TP |
MCC
MMDT3946
Revision: A
2011/01/01
TM
Micro Commercial Components
www.mccsemi.com
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMDT3946 | 200 mA, 40 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMDT3946 | 200 mA, 40 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMDT4126-13 | 200 mA, 25 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMDT4401-13 | 600 mA, 40 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMDT4401T/R7 | 600 mA, 40 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMDT4124 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:DUAL NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
| MMDT4124_09 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:DUAL NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
| MMDT4124-7 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 25V 200mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMDT4124-7-F | 功能描述:两极晶体管 - BJT 25V 200mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMDT4126 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:DUAL PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
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