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参数资料
| 型号： | MMDT5401-13 |
| 厂商： | DIODES INC |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 200 mA, 150 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | ULTRA SMALL, PLASTIC PACKAGE-6 |
| 文件页数： | 3/3页 |
| 文件大小： | 0K |
| 代理商： | MMDT5401-13 |
DS30169 Rev. 7 - 2
3 of 3
MMDT5401
www.diodes.com
10
100
1000
1
10
100
f
,
GAIN
BANDWIDTH
PRODUCT
(MHz)
t
I , COLLECTOR CURRENT (mA)
C
Fig. 5, Gain Bandwidth Product vs Collector Current
V= 10V
CE
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
0.1
1.0
10
100
V
,
BASE
EMITTER
VOL
T
AGE
(V)
BE(ON)
I , COLLECTOR CURRENT (mA)
C
Fig. 4, Base Emitter Voltage vs. Collector Current
T = 25°C
A
T = -50°C
A
T = 150°C
A
V= 5V
CE
1
10
100
1000
10,000
1
10
100
1000
V
= 5V
CE
h
,
DC
CURRENT
GAIN
(NORMALIZED)
FE
I , COLLECTOR CURRENT (mA)
C
Fig. 3, DC Current Gain vs. Collector Current
T= 25°C
A
T= -50°C
A
T = 150°C
A
0.01
0.1
1.0
10.0
1
10
100
1000
T = 25°C
A
T = -50°C
A
T = 150°C
A
V
,
COLLECT
O
R
T
O
E
MITTER
CE(SA
T
)
SA
TURA
TION
VOL
T
AGE
(V)
I , COLLECTOR CURRENT (mA)
C
Fig. 2, Collector Emitter Saturation Voltage
vs. Collector Current
I
C
I
B
=10
0
50
25
50
75
100
125
150
175
200
P
,
POWER
D
ISSIP
A
T
ION
(mW)
D
T , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
A
Fig. 1, Max Power Dissipation vs
Ambient Temperature
100
150
200
0
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMDV-3 | 3 CONTACT(S), BOARD MOUNT, MINI DIN CONNECTOR |
| MMDV-4 | 4 CONTACT(S), BOARD MOUNT, MINI DIN CONNECTOR |
| MMDV-9 | 9 CONTACT(S), BOARD MOUNT, MINI DIN CONNECTOR |
| MMFCP | MALE, STRAIGHT TWO PART BOARD CONNECTOR, PRESS FIT; SOLDER |
| MMFCS | MALE, STRAIGHT TWO PART BOARD CONNECTOR, PRESS FIT; SOLDER |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMDT5401-7 | 功能描述:两极晶体管 - BJT -150V 200mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMDT5401-7-F | 功能描述:两极晶体管 - BJT -150V 200mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMDT5401-T | 功能描述:两极晶体管 - BJT -200mA -150V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMDT5401-TP | 功能描述:两极晶体管 - BJT -200mA -150V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMDT5451 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:COMPLEMENTARY NPN/PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
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