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参数资料
| 型号： | MMFT3166T3 |
| 厂商： | MOTOROLA INC |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 1000 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-261AA |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 代理商： | MMFT3166T3 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMFT3166T1 | 1000 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-261AA |
| MMFTN138 | 220 mA, 50 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236 |
| MMG05N60DT1 | 0.5 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-261 |
| MMG05N60DT1 | 0.5 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-261 |
| MMG05N60DT3 | 0.5 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-261A |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMFT5P03HD | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:TMOS MEDIUM POWER FET 5.2 AMPERES 30 VOLTS |
| MMFT5P03HDT1 | 功能描述:MOSFET P-CH 30V 3.7A SOT223 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| MMFT5P03HDT3 | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:TMOS P-CHANNEL FIELD FEECT TRANSISTOR |
| MMFT6N03HD | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:TMOS POWER 6.0 AMPERES 30 VOLTS |
| MMFT960T1 | 功能描述:MOSFET 60V 300mA N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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