| 型号: | MMFTP84 |
| 厂商: | DIOTEC SEMICONDUCTOR AG |
| 元件分类: | 小信号晶体管 |
| 英文描述: | 130 mA, 50 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236 |
| 封装: | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件页数: | 1/2页 |
| 文件大小: | 103K |
| 代理商: | MMFTP84 |

相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMJT9410T1 | 10 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMJT9410T3 | 3 A, 30 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-261AA |
| MMJT9435T1 | 3000 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMP7034-19-1 | 200 V, SILICON, PIN DIODE |
| MMPN-080150-C51 | 200 V, SILICON, PIN DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMF-XO-2525 | 制造商:SPC Multicomp 功能描述:Terminal 制造商:SPC Multicomp 功能描述:TERMINAL, DBL M-F STACK ADAPTER, CRIMP, UNINSUL; Connector Type:Double Male-Female Stack Adapter; Insulator Material:Uninsulated; Connector Type:Double Male-Female Stack Adapter |
| MMFZ10T1G | 功能描述:DIODE ZENER 10V 500MW SOD-123 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/齐纳 系列:- 标准包装:1 系列:- 电压 - 齐纳(标称)(Vz):36V 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大):900mV @ 10mA 电流 - 在 Vr 时反向漏电:100nA @ 27V 容差:±5% 功率 - 最大:200mW 阻抗(最大)(Zzt):70 欧姆 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70,SOT-323 供应商设备封装:SOT-323 包装:剪切带 (CT) 工作温度:-65°C ~ 150°C 产品目录页面:1585 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBZ5258BWMMBZ5258BWCTMMBZ5258BWCT-NDMMBZ5258BWDICT |
| MMFZ10T3G | 功能描述:DIODE ZENER 10V 500MW SOD-123 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/齐纳 系列:- 标准包装:1 系列:- 电压 - 齐纳(标称)(Vz):36V 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大):900mV @ 10mA 电流 - 在 Vr 时反向漏电:100nA @ 27V 容差:±5% 功率 - 最大:200mW 阻抗(最大)(Zzt):70 欧姆 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70,SOT-323 供应商设备封装:SOT-323 包装:剪切带 (CT) 工作温度:-65°C ~ 150°C 产品目录页面:1585 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBZ5258BWMMBZ5258BWCTMMBZ5258BWCT-NDMMBZ5258BWDICT |
| MMFZ12T1G | 功能描述:DIODE ZENER 12V 500MW SOD-123 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/齐纳 系列:- 标准包装:1 系列:- 电压 - 齐纳(标称)(Vz):36V 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大):900mV @ 10mA 电流 - 在 Vr 时反向漏电:100nA @ 27V 容差:±5% 功率 - 最大:200mW 阻抗(最大)(Zzt):70 欧姆 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70,SOT-323 供应商设备封装:SOT-323 包装:剪切带 (CT) 工作温度:-65°C ~ 150°C 产品目录页面:1585 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBZ5258BWMMBZ5258BWCTMMBZ5258BWCT-NDMMBZ5258BWDICT |
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