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参数资料
| 型号： | MMFTP84 |
| 厂商： | DIOTEC SEMICONDUCTOR AG |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 130 mA, 50 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236 |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 103K |
| 代理商： | MMFTP84 |
MMFTP84
Characteristics (Tj = 25°C)
Kennwerte (Tj = 25°C)
Min.
Typ.
Max.
Drain-Source breakdown voltage – Drain-Source-Durchbruchspannung
- ID = 10 A
- V(BR)DSS
50 V
Drain-Source leakage current – Drain-Source-Leckstrom
- VDS = 40 V
- VDS = 50 V
- VDS = 50 V, Tj = 125°C
- IDSS
100 nA
10 A
60 A
Gate-Source leakage current – Gate-Source-Leckstrom
VGS = ± 20 V
IGSS
± 10 nA
Gate-Source threshold voltage – Gate-Source Schwellspannung
VGS = VGS, - ID = 1 mA
- VGS(th)
0.8 V
2 V
Drain-Source on-state resistance – Drain-Source Einschaltwiderstand
- VGS = 10 V, - ID = 130 mA
RDS(on)
10 Ω
Forward Transfer Admittance – bertragungssteilheit
- VDS = 25 V, - ID = 130 mA
gfs
50 mS
Input Capacitance – Eingangskapazitt
- VDS = 25 V, f = 1 MHz
Ciss
45 pF
Output Capacitance – Ausgangskapazitt
- VDS = 25 V, f = 1 MHz
Coss
25 pF
Reverse Transfer Capacitance – Rückwirkungskapazitt
- VDS = 25 V, f = 1 MHz
Crss
12 pF
Turn-On Time – Anstiegszeit
VGS = 0 ... -10 V, - VDD = 40 V, - ID = 200 mA
t(on)
3 ns
Turn-Off Time – Abfallzeit
VGS = -10 ... 0 V, - VDD = 40 V, - ID = 200 mA
t(off)
7 ns
Thermal resistance junction to ambient air
Wrmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
RthA
< 500 K/W 1)
1
Device mounted on standard PCB material
Bauteil montiert auf Standard-Leiterplattenmaterial
2
http://www.diotec.com/
Diotec Semiconductor AG
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