收藏本站
参数资料
型号： MMJT9410
厂商： MOTOROLA INC
元件分类： 功率晶体管
英文描述： Bipolar Power Transistors
中文描述： 3 A, 30 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
文件页数： 3/4页
文件大小： 95K
代理商： MMJT9410
3
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
Figure 1. DC Current Gain
Figure 2. “ON” Voltages
Figure 3. Collector Saturation Region
1.0
10
0.01
IC, COLLECTOR CURRENT (A)
1000
100
10
IC, COLLECTOR CURRENT (A)
1.0
10
0.01
0.01
100
1.0
IB, BASE CURRENT (mA)
1.00
0.75
0.50
0.25
0
h
V
V
1.0
0.1
0.1
0.1
1.0
10
,
C
VBE(sat)
VCE(sat)
IC/IB = 70
VR, REVERSE BIAS (V)
1.0
0.1
1000
100
10
C
10
100
Cob
Figure 4. Capacitance
VCE = 1 V
150
°
C
25
°
C
–55
°
C
0.25 A
IC = 1.2 A
0.8 A
0.5 A
相关PDF资料
PDF描述
MMJT9435 Bipolar Power Transistors
MMM5063 Tri-Band GSM GPRS 3.5 V Power Amplifier
MMM5063D Tri-Band GSM GPRS 3.5 V Power Amplifier
MMSF4P01HD SINGLE TMOS POWER FET 4.0 AMPERES 12 VOLTS
MMSF5P02HD SINGLE TMOS POWER MOSFET 8.7 AMPERES 20 VOLTS
相关代理商/技术参数
参数描述
MMJT9410G 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Power Transistors NPN Silicon
MMJT9410T1 功能描述:两极晶体管 - BJT 3A 30V 3W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MMJT9410T1G 功能描述:两极晶体管 - BJT 3A 30V 3W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MMJT9435 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Power Transistors PNP Silicon
MMJT9435T1 功能描述:两极晶体管 - BJT 3A 30V 3W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*