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参数资料
| 型号： | MMPQ2369G |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 4 CHANNEL, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | CASE 751B, SOP-16 |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 144K |
| 代理商： | MMPQ2369G |
MMPQ2369
http://onsemi.com
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted) (Continued)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
ON CHARACTERISTICS
DC Current Gain(1)
(IC = 10 mAdc, VCE = 1.0 Vdc)
(IC = 100 mAdc, VCE = 2.0 Vdc)
hFE
40
20
—
CollectorEmitter Saturation Voltage
(IC = 10 mAdc, IB = 1.0 mAdc)
VCE(sat)
—
0.25
Vdc
Base Emitter Saturation Voltage
(IC = 10 mAdc, IB = 1.0 mAdc)
VBE(sat)
—
0.9
Vdc
DYNAMIC CHARACTERISTICS
CurrentGain — Bandwidth Product
(IC = 10 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 100 MHz)
fT
450
550
—
MHz
Output Capacitance
(VCB = 5.0 Vdc, IE = 0, f = 1.0 MHz)
Cob
—
2.5
4.0
pF
Input Capacitance
(VEB = 0.5 Vdc, IC = 0, f = 1.0 MHz)
Cib
—
3.0
5.0
pF
SWITCHING CHARACTERISTICS
TurnOn Time
(VCC = 3.0 Vdc, VEB(off) = 1.5 Vdc, IC = 10 mAdc,
IB1 = 3.0 mAdc)
ton
—
9.0
—
ns
TurnOff Time
(VCC = 3.0 Vdc, IC = 10 mAdc, IB1 = 3.0 mAdc, IB2 = 1.5 mAdc)
toff
—
15
—
ns
1. Pulse Test: Pulse Width v 300 ms; Duty Cycle v 2.0%.
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