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参数资料
| 型号： | MMPQ2907L99Z |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 800 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | SOIC-16 |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 59K |
| 代理商： | MMPQ2907L99Z |
PN2907A
/
MMBT2907A
/
MMPQ2907
/
NMT2907
/
PZT2907A
Thermal Characteristics
TA = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Characteristic
Max
Units
PN2907A
*PZT2907A
PD
Total Device Dissipation
Derate above 25
°C
625
5.0
1,000
8.0
mW
mW/
°C
RθJC
Thermal Resistance, Junction to Case
83.3
°C/W
RθJA
Thermal Resistance, Junction to Ambient
200
125
°C/W
Symbol
Characteristic
Max
Units
**MMBT2907A
MMPQ2907
PD
Total Device Dissipation
Derate above 25
°C
350
2.8
1,000
8.0
mW
mW/
°C
RθJA
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Effective 4 Die
Each Die
357
125
240
°C/W
PNP General Purpose Amplifier
(continued)
Typical Characteristics
*Device mounted on FR-4 PCB 36 mm X 18 mm X 1.5 mm; mounting pad for the collector lead min. 6 cm2.
**Device mounted on FR-4 PCB 1.6" X 1.6" X 0.06."
Typical Pulsed Current Gain
vs Collector Current
0.1
0.3
1
3
10
30
100
300
0
100
200
300
400
500
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
h
-
TYPICA
L
PULSE
D
CU
RRE
N
T
GA
IN
C
FE
125 °C
25 °C
- 40 °C
V
= 5V
CE
Collector-Emitter Saturation
Voltage vs Collector Current
1
10
100
500
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
V
-CO
LLEC
T
O
R
EM
ITTE
R
V
O
L
T
A
GE
(V)
C
CE
S
A
T
β = 10
25 °C
- 40 C
125 C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMPQ2907S62Z | 800 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT2907AS62Z | 800 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT2907AL99Z | 800 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMPQ2907L86Z | 600 mA, 40 V, 4 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMPQ3467/S62Z | 1200 mA, 40 V, 4 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMPQ3467 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 1A 40V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMPQ3725 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN Switching Transistor |
| MMPQ3725 WAF | 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |
| MMPQ3904 | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Multi-Chip Trans General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMPQ3904_Q | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Multi-Chip Trans General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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