收藏本站
参数资料
型号： MMPQ3904L99Z
厂商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分类： 小信号晶体管
英文描述： 200 mA, 40 V, 4 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封装： SOIC-16
文件页数： 2/7页
文件大小： 98K
代理商： MMPQ3904L99Z
NPN Multi-Chip General Purpose Amplifier
(continued)
Electrical Characteristics
T
A
= 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Typ
Max Units
V(BR)CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage
IC = 1.0 mA, IB = 0
40
V
V(BR)CBO
Collector-Base Breakdown Voltage
IC = 10
A, IE = 0
60
V
V(BR)EBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
IE = 10
A, IC = 0
6.0
V
IBL
Base Cutoff Current
VCE = 30 V, VEB = 0
50
nA
ICEX
Collector Cutoff Current
VCE = 30 V, VEB = 0
50
nA
OFF CHARACTERISTICS
ON CHARACTERISTICS*
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS (MMPQ3904 only)
fT
Current Gain - Bandwidth Product
IC = 10 mA, VCE = 20 V,
f = 100 MHz
250
MHz
Cobo
Output Capacitance
VCB = 5.0 V, IE = 0,
f = 140 kHz
4.0
pF
Cibo
Input Capacitance
VEB = 0.5 V, IC = 0,
f = 140 kHz
8.0
pF
hFE
DC Current Gain
IC = 0.1 mA, VCE = 1.0 V
MMPQ3904
IC = 1.0 mA, VCE = 1.0 V
MMPQ3904
IC = 10 mA, VCE = 1.0 V
MMPQ3904
IC = 50 mA, VCE = 1.0 V
IC = 100 mA, VCE = 1.0 V
40
30
70
50
100
75
60
30
300
VCE(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
IC = 10 mA, IB = 1.0 mA
IC = 50 mA, IB = 5.0 mA
0.2
0.3
V
VBE(sat)
Base-Emitter Saturation Voltage
IC = 10 mA, IB = 1.0 mA
IC = 50 mA, IB = 5.0 mA
0.65
0.85
0.95
V
FFB3904
/
FMB3904
/
MMPQ3904
*Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 s, Duty Cycle ≤ 2.0%
NOTE: All voltages (V) and currents (A) are negative polarity for PNP transistors.
相关PDF资料
PDF描述
MMPQ3904S62Z 200 mA, 40 V, 4 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMPQ3904L86Z 200 mA, 40 V, 4 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMPQ3904LEADFREE 200 mA, 40 V, 4 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMPQ3904R1 200 mA, 40 V, 4 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMPQ3906R2 200 mA, 40 V, 4 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SO-16
相关代理商/技术参数
参数描述
MMPQ3904R1 功能描述:两极晶体管 - BJT 200mA 60V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MMPQ3904R2 功能描述:两极晶体管 - BJT 200mA 60V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MMPQ3906 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Multi-Chip Trans General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MMPQ3906_Q 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Multi-Chip Trans General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MMPQ3906R1 功能描述:两极晶体管 - BJT 200mA 40V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*