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参数资料
| 型号： | MMPQ3904L99Z |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 200 mA, 40 V, 4 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | SOIC-16 |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 98K |
| 代理商： | MMPQ3904L99Z |
4
Typical Characteristics
Base-Emitter ON Voltage vs
Collector Current
0.1
1
10
100
0.2
0.4
0.6
0.8
1
I
- COLLECTOR CURRENT (mA)
V
-
B
A
SE-
EMI
T
E
R
ON
VOL
T
A
GE
(V
)
BE
(O
N)
C
V
= 5V
CE
25 °C
125 °C
- 40 °C
Base-Emitter Saturation
Voltage vs Collector Current
0.1
1
10
100
0.4
0.6
0.8
1
I
- COLLECTOR CURRENT (mA)
V
-
B
A
SE-
EM
ITT
E
R
VOL
T
A
G
E
(
V
)
BESA
T
C
β = 10
25 °C
125 °C
- 40 °C
Collector-Emitter Saturation
Voltage vs Collector Current
0.1
1
10
100
0.05
0.1
0.15
I
- COLLECTOR CURRENT (mA)
V
-CO
LL
EC
T
O
R-
E
M
ITTE
R
VO
L
T
A
G
E
(V
)
CESA
T
25 °C
C
β = 10
125 °C
- 40 °C
Collector-Cutoff Current
vs Ambient Temperature
25
50
75
100
125
150
0.1
1
10
100
500
T - AMBIENT TEMPERATURE ( C)
I
-C
O
LL
ECT
O
R
C
URR
ENT
(
n
A
)
A
V
= 30V
CB
O
°
Capacitance vs
Reverse Bias Voltage
0.1
1
10
100
1
2
3
4
5
10
REVERSE BIAS VOLTAGE (V)
CA
P
A
CIT
A
NCE
(p
F
)
C obo
C ibo
f = 1.0 MHz
Typical Pulsed Current Gain
vs Collector Current
0.1
1
10
100
0
100
200
300
400
500
I
- COLLECTOR CURRENT (mA)
h
-
TY
P
IC
A
L
P
U
L
S
E
D
C
U
R
E
N
T
G
A
IN
FE
- 40 °C
25 °C
C
V
= 5V
CE
125 °C
NPN Multi-Chip General Purpose Amplifier
(continued)
FFB3904
/
FMB3904
/
MMPQ3904
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMPQ3904S62Z | 200 mA, 40 V, 4 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMPQ3904L86Z | 200 mA, 40 V, 4 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMPQ3904LEADFREE | 200 mA, 40 V, 4 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMPQ3904R1 | 200 mA, 40 V, 4 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMPQ3906R2 | 200 mA, 40 V, 4 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SO-16 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMPQ3904R1 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 200mA 60V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMPQ3904R2 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 200mA 60V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMPQ3906 | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Multi-Chip Trans General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMPQ3906_Q | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Multi-Chip Trans General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMPQ3906R1 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 200mA 40V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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