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参数资料
| 型号： | MMPQ3906R1 |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 200 mA, 40 V, 4 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | CASE 751B-05, SOP-16 |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 145K |
| 代理商： | MMPQ3906R1 |
Semiconductor Components Industries, LLC, 2006
August, 2006 Rev. 4
Publication Order Number:
MMPQ3906/D
1
MMPQ3906
Preferred Device
Quad Amplifier/Switch
Transistor
PNP Silicon
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Value
Unit
CollectorEmitter Voltage
VCEO
40
Vdc
CollectorBase Voltage
VCB
40
Vdc
EmitterBase Voltage
VEB
5.0
Vdc
Collector Current Continuous
IC
200
mAdc
Each
Transistor
Power Dissipation @ TA = 25°C
Derate above 25°C
PD
200
3.2
mW
mW/°C
Power Dissipation @ TC = 25°C
Derate above 25°C
PD
0.66
5.3
Watts
mW/°C
Four
Transistors
Equal Power
Power Dissipation @ TA = 25°C
Derate above 25°C
PD
800
6.4
mW
mW/°C
Power Dissipation @ TC = 25°C
Derate above 25°C
PD
1.92
15.4
Watts
mW/°C
Operating and Storage
Junction Temperature Range
TJ, Tstg
55 to +150
°C
SO16
CASE 751B
STYLE 4
MARKING DIAGRAM
Preferred devices are recommended choices for future use
and best overall value.
Device
Package
Shipping
ORDERING INFORMATION
MMPQ3906
SO16
48 Units/Rail
MMPQ3906
AWLYWW
MMPQ3906 = Specific Device Code
A
= Assembly Location
WL
= Wafer Lot
Y
= Year
WW
= Work Week
http://onsemi.com
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