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参数资料
| 型号： | MMSD71RKT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 56K |
| 描述： | DIODE SWITCHING SS 80V SOD-123 |
| 产品变化通告： | Discontinuation 30/Jun/2006 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 80V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 200mA（DC） |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.2V @ 100mA |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 反向恢复时间(trr)： | 4ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 500nA @ 80V |
| 电容@ Vr, F： | 2pF @ 0.5V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOD-123 |
| 供应商设备封装： | SOD-123 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
?
Semiconductor Components Industries, LLC, 2007
January, 2007 ? Rev. 4
1
Publication Order Number:
MMSD71RKT1/D
MMSD71RKT1
Switching Diode
The switching diode has the following features:
Features
?
SOD?123 Surface Mount Package
?
High Breakdown Voltage
?
Fast Speed Switching Time
?
Pb?Free Package is Available
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Value
Unit
Continuous Reverse Voltage
VR
80
Vdc
Peak Forward Current
IF
200
mAdc
Peak Forward Surge Current
IFM(surge)
500
mAdc
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Total Device Dissipation FR?5 Board (Note1)
TA
= 25
°C
Derate above 25°C
PD
425
3.4
mW
mW/°C
Thermal Resistance Junction?to?Ambient
RJA
290
°C/W
Junction and Storage Temperature Range
TJ, Tstg
?55 to
+150
°C
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.z
pad
1. FR?5 = 1.0oz Cu, 1.0in
http://onsemi.com
Device Package Shipping?
ORDERING INFORMATION
MMSD71RKT1 SOD?123 3000 / Tape & Reel
1
CATHODE
2
ANODE
?For information on tape and reel specifications,
including part orientation and tape sizes, please
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications
Brochure, BRD8011/D.
MMSD71RKT1G SOD?123
(Pb?Free)
3000 / Tape & Reel
SOD?123
CASE 425
STYLE 1
1
2
6S = Device Code
M = Date Code
= Pb?Free Package
(Note: Microdot may be in either location)
1
6S M
MARKING DIAGRAM
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMSD914T3G | DIODE SWITCHING SS 100V SOD-123 |
| MMSD914 | DIODE 100V 200MA SOD123 |
| MPG06MHE3/54 | DIODE 1A 1000V MINI MPG06 |
| MR2510 | DIODE 25A 1000V MICRO BUTTON |
| MR752G | DIODE STD REC 6A 200V AXIAL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMSD914 | 功能描述:整流器 Hi Conductance Fast RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| MMSD914_05 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Small Signal Diode |
| MMSD914_Q | 功能描述:整流器 Hi Conductance Fast RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| MMSD914T1 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 100V 200mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| MMSD914T1G | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 100V 200mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
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