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参数资料
| 型号： | MMSD914 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 59K |
| 描述： | DIODE 100V 200MA SOD123 |
| 产品目录绘图： | SOD-323 Side SOD-323 Top |
| 标准包装： | 1 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 100V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 200mA |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1V @ 10mA |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 反向恢复时间(trr)： | 4ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 5µA @ 75V |
| 电容@ Vr, F： | 4pF @ 0V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOD-123 |
| 供应商设备封装： | SOD-123 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | MMSD914DKR |
?2005 Fairchild Semiconductor Corporation
1
www.fairchildsemi.com
February 2005
MMSD914 Rev. C
MMSD914 Small Signal Diode
MMSD914
Small Signal Diode
Absolute Maximum Ratings *
Ta
= 25°C unless otherwise noted
* These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
Thermal Characteristics
Electrical Characteristics
TC
= 25°C unless otherwise noted
Symbol Parameter Value Unit
VRRM
Maximum Repetitive Reverse Voltage 100 V
IF(AV)
Average Rectified Forward Current 200 mA
IFSM
Non-repetitive Peak Forward Surge Current
Pulse Width = 1.0 second
Pulse Width = 1.0 microsecond
1.0
2.0
A
A
TSTG
Storage Temperature Range -55 to +150
°C
TJ
Operating Junction Temperature 150
°C
Symbol Parameter Value Unit
PD
Power Dissipation 400 mW
RθJA
Thermal Resistance, Junction to Ambient 312
°C/W
Symbol Parameter Conditions Min. Max. Units
VR
Breakdown Voltage IR
= 5.0
μA
75
V
IR
= 100
μA
100
V
VF
Forward Voltage IF
= 10mA 1.0 V
IR
Reverse Leakage VR
= 20V
25
nA
VR
= 20V, T
A
= 150
°C
50
μA
VR
= 75V
5.0
μA
CT
Total Capacitance VR
= 0V, f = 1.0MHz 4.0 pF
trr
Reverse Recovery Time IF
= 10mA, V
R
= 6.0V, I
RR
= 1.0mA,
4.0 ns
RL
= 100
?
VF(peak)
Peak Forward Recovery Voltage IF
= 50mA, Peak square wave pulse
2.5 V
width = 0.1μS, 5kHz - 100kHz rep rate
SOD123
COLOR BAND DENOTES CATHODE
TOP MARKING: 5D
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PDF描述 |
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参数描述 |
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