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参数资料
| 型号： | MMSD914 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 59K |
| 描述： | DIODE 100V 200MA SOD123 |
| 产品目录绘图： | SOD-323 Side SOD-323 Top |
| 标准包装： | 1 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 100V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 200mA |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1V @ 10mA |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 反向恢复时间(trr)： | 4ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 5µA @ 75V |
| 电容@ Vr, F： | 4pF @ 0V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOD-123 |
| 供应商设备封装： | SOD-123 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | MMSD914DKR |
M
MMSD914 Small Signal Diode
Typical Characteristics
10 20 30 40 50 60
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
Ta= 25 C°
Reverse Recovery Time [nS]
Reverse Current [mA]
0 50 100 150
0
100
200
300
400
IF(AV)
-
AVER
AGE
RECT
IFIED CU
RRENT -
mA
Current [mA]
Ambient Temperature, TA
[ C]
°
0 50 100 150 200
0
100
200
300
400
500
DO-35 Pkg
SOT-23 Pkg
Power Dissipation, P
D
[mW]
Average Temperature, IO
[ C]
°
Figure 7. Reverse Recovery Time
vs Reverse Current
TRR - IR 10 mA vs 60 mA
Figure 8. Average Rectified Current (IF(AV))
versus Ambient Temperature (TA)
Figure 9. Power Derating Curve
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMSD914_05 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Small Signal Diode |
| MMSD914_Q | 功能描述:整流器 Hi Conductance Fast RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| MMSD914T1 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 100V 200mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| MMSD914T1G | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 100V 200mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| MMSD914T1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Small Signal Diode |
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