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参数资料
| 型号： | MMSF3P02HDR2 |
| 厂商： | MOTOROLA INC |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 5.6 A, 20 V, 0.095 ohm, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 文件页数： | 8/10页 |
| 文件大小： | 302K |
| 代理商： | MMSF3P02HDR2 |
MMSF3P02HD
7
Motorola TMOS Power MOSFET Transistor Device Data
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Figure 14. Thermal Response
Figure 15. Diode Reverse Recovery Waveform
di/dt
trr
ta
tp
IS
0.25 IS
TIME
IS
tb
t, TIME (s)
Rthja(t)
,EFFECTIVE
TRANSIENT
THERMAL
RESIST
ANCE
1
0.1
0.01
D = 0.5
SINGLE PULSE
1.0E–05
1.0E–04
1.0E–03
1.0E–02
1.0E–01
1.0E+00
1.0E+01
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
1.0E+02
1.0E+03
0.001
10
0.0163
0.0652
0.1988
0.6411
0.9502
72.416 F
1.9437 F
0.5541 F
0.1668 F
0.0307 F
Chip
Ambient
Normalized to
θja at 10s.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMSF3P02ZR2 | 6500 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| MMSF3P02ZR1 | 6500 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| MMSF3P03HDR1 | 4600 mA, 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| MMSF3P03HDR1 | 4600 mA, 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| MMSF4P01HDR1 | 4 A, 12 V, 0.09 ohm, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMSF3P02HDR2G | 功能描述:MOSFET PFET SO8S 20V 5.6A 75mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| MMSF3P02HDR2SG | 功能描述:MOSFET P-CH 20V 5.6A 8-SOIC RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| MMSF3P03HD | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:SINGLE TMOS POWER FET 3.0 AMPERES 30 VOLTS |
| MMSF4205R2 | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC T/R |
| MMSF4N01HD | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:TMOS MOSFET 5.8 AMPERES 20 VOLTS |
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