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参数资料
| 型号： | MMSF7P03HDR2 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 7A 8-SOIC |
| 产品变化通告： | LTB Notification 03/Jan/2008 |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 35 毫欧 @ 5.3A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 75.8nC @ 6V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1680pF @ 24V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MMSF7P03HD
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
12
10
10 V
6.0 V
4.5 V
3.9 V
3.7 V
3.5 V
T J = 25 ° C
12
10
V DS . 10 V
8.0
4.3 V
4.1 V
V GS = 3.3 V
8.0
6.0
4.0
2.0
0
3.1 V
2.9 V
2.7 V
2.5 V
6.0
4.0
2.0
0
25 ° C
100 ° C
T J = ? 55 ° C
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
0.30
V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On?Region Characteristics
0.050
V GS , GATE?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.25
T J = 25 ° C
I D = 7.0 A
0.045
T J = 25 ° C
V GS = 4.5 V
0.20
0.15
0.040
0.035
0.10
0.05
0
0.030
0.025
0.020
10 V
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
10
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
1.6
V GS , GATE?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 3. On?Resistance versus
Gate?to?Source Voltage
1000
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On?Resistance versus Drain Current
and Gate Voltage
V GS = 0 V
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
V GS = 10 V
100
10
1.0
T J = 125 ° C
100 ° C
?50
?25
0
25
50
75
100
125
150
0
5.0
10
15
20
25
30
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On?Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain?to?Source Leakage
Current versus Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMSF7P03HDR2G | 功能描述:MOSFET PFET SO8S 30V 7A 35mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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