型号: | MMST3906T116 |
元件分类: | 小信号晶体管 |
英文描述: | 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
文件页数: | 7/7页 |
文件大小: | 225K |
代理商: | MMST3906T116 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
---|---|
MMST3906T216 | 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
MMST3906T146 | 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
MMST3906 | 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
MMST3906 | 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
MMST3906 | 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
---|---|
MMST3906T146 | 功能描述:两极晶体管 - BJT GP PNP 40V 200MA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
MMST3906-TP | 功能描述:两极晶体管 - BJT 200mA 40V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
MMST4001 | 制造商:WINNERJOIN 制造商全称:WINNERJOIN 功能描述:TRANSISTOR (NPN) |
MMST4124 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
MMST4124_09 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR |