型号: | MMST4401-13 |
厂商: | DIODES INC |
元件分类: | 小信号晶体管 |
英文描述: | 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
封装: | ULTRA SMALL, PLASTIC PACKAGE-3 |
文件页数: | 1/4页 |
文件大小: | 76K |
代理商: | MMST4401-13 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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MMST4401T246 | 800 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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MMST4403-13 | 600 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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MMST4401-7 | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN BIPOLAR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
MMST4401-7-F | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN BIPOLAR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
MMST4401-T | 功能描述:两极晶体管 - BJT 600mA 40 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
MMST4401T116 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:NPN Medium Power Transistor |
MMST4401T146 | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 40V 0.6A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |