型号: | MMST4403-13 |
厂商: | DIODES INC |
元件分类: | 小信号晶体管 |
英文描述: | 600 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
封装: | ULTRA SMALL, PLASTIC PACKAGE-3 |
文件页数: | 1/4页 |
文件大小: | 75K |
代理商: | MMST4403-13 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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MMST4403 | 600 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
MMST5088T246 | 200 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
MMST5089T247 | 200 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
MMST5101T246 | 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
MMST5424T247 | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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MMST4403-7 | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP BIPOLAR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
MMST4403-7-F | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP BIPOLAR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
MMST4403-T | 功能描述:两极晶体管 - BJT -600mA -40V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
MMST4403T146 | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP 40V 0.6V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
MMST4403T246 | 制造商:ROHM SEMICONDUCTOR 功能描述:TRANS GP BJT PNP 40V 0.6A 3P TR |