- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录95984 > MMST4403-13 (DIODES INC) 600 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR PDF资料下载
参数资料
| 型号： | MMST4403-13 |
| 厂商： | DIODES INC |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 600 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | ULTRA SMALL, PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 75K |
| 代理商： | MMST4403-13 |
DS30083 Rev. 5 - 2
4 of 4
MMST4403
www.diodes.com
0.1
1
10
100
V
,
BASE
EMITTER
V
O
L
T
AGE
(V)
BE(ON)
I , COLLECTOR CURRENT (mA)
C
Fig. 4 Base-Emitter Voltage
vs. Collector Current
T = 25°C
A
T = -50°C
A
V= 5V
CE
T = 150°C
A
0.2
0.3
0.4
0.5
0.9
0.8
0.7
0.6
1000
1
10
100
1000
V,
C
O
LLECT
O
RT
O
EMITTER
CE(SA
T)
SA
TURA
TION
VOL
T
AGE
(V)
I , COLLECTOR CURRENT (mA)
C
Fig. 3 Collector Emitter Saturation Voltage
vs. Collector Current
T= 25°C
A
T= 50°C
A
T = 150°C
A
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
I
C
I
B
= 10
1
100
1000
1
10
100
f
,
GAIN
BANDWIDTH
PRODUCT
(MHz)
T
I , COLLECTOR CURRENT (mA)
C
Fig. 6 Gain Bandwidth Product vs. Collector Current
10
V
= 5V
CE
1
100
1000
1
10
100
1000
hFE,
DC
CURRENT
G
AIN
(NORMALIZED)
I , COLLECTOR CURRENT (mA)
C
Fig. 5 DC Current Gain vs. Collector Current
10
V
= 5V
CE
T = 25°C
A
T = -50°C
A
T = 150°C
A
0
50
100
25
50
75
100
125
150
175
200
P
,
POWER
D
ISSIP
A
TION
(mW)
D
T , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
A
Fig. 7, Max Power Dissipation vs
Ambient Temperature
150
200
250
300
350
0
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMST4403 | 600 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMST5088T246 | 200 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMST5089T247 | 200 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMST5101T246 | 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMST5424T247 | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMST4403-7 | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP BIPOLAR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMST4403-7-F | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP BIPOLAR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMST4403-T | 功能描述:两极晶体管 - BJT -600mA -40V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMST4403T146 | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP 40V 0.6V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMST4403T246 | 制造商:ROHM SEMICONDUCTOR 功能描述:TRANS GP BJT PNP 40V 0.6A 3P TR |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。