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参数资料
| 型号： | MMST6427-13 |
| 厂商： | DIODES INC |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 500 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | ULTRA SMALL, PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 3/3页 |
| 文件大小： | 70K |
| 代理商： | MMST6427-13 |
DS30166 Rev. 6 - 1
3 of 3
MMST6427
www.diodes.com
0
50
100
25
50
75
100
125
150
175
200
P
,
POWER
D
ISSIP
A
T
ION
(mW)
D
T , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
A
Fig. 1, Max Power Dissipation vs
Ambient Temperature
150
200
250
300
0
1
10
100
1000
V,
C
O
LLECT
O
RT
O
EMITTER
CE(SA
T
)
SA
TURA
TION
VOL
T
AGE
(V)
I , COLLECTOR CURRENT (mA)
C
Fig. 2, Collector Emitter Saturation Voltage
vs. Collector Current
T = 25°C
A
T = -50°C
A
T = 150°C
A
0.45
0.40
0.50
0.55
0.60
0.65
0.70
0.75
0.80
0.85
0.90
0.95
1.10
1.05
1.00
I
C
I
B
= 1000
0.1
1
10
100
V
,
BASE
EMITTER
V
OL
T
A
GE
(V)
BE(ON)
I , COLLECTOR CURRENT (mA)
C
Fig. 4, Base Emitter Voltage
vs. Collector Current
T = 25°C
A
T = -50°C
A
T = 150°C
A
0.3
0.2
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.6
1.5
1.4
V= 5V
CE
100
1000
100000
1000000
10000
1
10
1000
100
h
,
DC
CURRENT
G
AIN
FE
I , COLLECTOR CURRENT (mA)
C
Fig. 3, DC Current Gain vs
Collector Current
T = -50°C
A
T= 25°C
A
T = 150°C
A
V= 5V
CE
1
10
1000
100
1
10
100
f
,
GAIN
BANDWIDTH
PRODUCT
(MHz)
T
I , COLLECTOR CURRENT (mA)
C
Fig. 5, Gain Bandwidth Product
vs Collector Current
V= 5V
CE
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PDF描述 |
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