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参数资料
| 型号： | MMSTA56T246 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | MINIMOLD, SMT, SC-59, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 206K |
| 代理商： | MMSTA56T246 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRA1014-35 | L BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
| MPSA13/D81Z-18 | 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MPS6530 | 800 mA, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPS6725-5 | 1000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MPSA64/D28Z-J61Z | 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMSTA63 | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:DARLINGTON PNP SMD (Surface Mount) Transistor SOT-23 - free partial T/R at 500. |
| MMSTA63_1 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:PNP SURFACE MOUNT DARLINGTON TRANSISTOR |
| MMSTA63_2 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:PNP SURFACE MOUNT DARLINGTON TRANSISTOR |
| MMSTA63-7 | 功能描述:达林顿晶体管 -500V 200mW RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| MMSTA63-7-F | 功能描述:达林顿晶体管 -500V 200mW RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
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